[发明专利]在隔离材料上使用RF电路的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201510689354.6 申请日: 2015-10-21
公开(公告)号: CN105552071B 公开(公告)日: 2019-05-10
发明(设计)人: C·阿伦斯;E·富尔古特;A·米勒;A·施特尔滕波尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/67;H01L21/98
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;吕世磊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 隔离 材料 使用 rf 电路 系统 方法
【说明书】:

本公开的实施例涉及在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。公开了一种器件,其包括晶片/芯片、第一层、第一器件、隔离模具和第二器件。该第一层形成于该芯片之上并且具有非隔离特性。该第一器件形成于该第一层之上。在一个示例中,其仅形成于该第一层之上。该隔离模具形成于该芯片之上。该隔离模具具有隔离特性。该第二器件实质上形成于该隔离模具之上。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体技术领域,并且特别地涉及一种在隔离材料上使用RF电路的系统和方法。

背景技术

射频(RF)电路和金属线通常形成于体半导体上。因此,在这些元件、电路以及金属线与体半导体之间会出现电感性和电容性耦合。

所不期望的耦合使得元件的性能和操作出现退化。例如,该耦合会使得原始RF信号变差。此外,一些信号功率会由于电阻性损耗而受到损失。另外,会生成诸如谐波频率之类的所不期望的信号。此外,在不同信号出现干扰时会出现相互调制并且会生成串音。

需要减少所不希望的耦合以及性能退化的机制。

发明内容

根据本公开的一个方面,提供了一种增强信号完整性的器件,包括:芯片;形成于所述芯片之上的第一层,其中所述第一层具有非隔离特性;仅形成于所述第一层之上的第一器件;形成于所述芯片之上的隔离模具,其中所述隔离模具具有隔离特性;以及实质上形成于所述隔离模具之上的第二器件。

根据一个实施例,所述芯片具有硅材料。

根据一个实施例,所述芯片是人造晶片。

根据一个实施例,所述芯片和所述隔离模具由相同材料组成。

根据一个实施例,所述非隔离特性包括电阻率、电容性耦合和电感性耦合,并且在高频部件中导致非线性行为,并且其中所述第二器件是高频部件。

根据一个实施例,所述隔离模具的隔离特性包括自由载流子缺乏和相对高的电阻率中的一项或多项。

根据一个实施例,所述隔离模具被配置为缓解谐波信号的生成。

根据一个实施例,所述第二器件包括金属线、电容器、金属电容器、晶体管、隔离体、电阻器、端子、触点和电感器中的一个或多个。

根据一个实施例,所述第二器件使用易于受谐波的生成影响的相对高频率的信号。

根据一个实施例,所述隔离模具包括封装材料,其中所述封装材料包括包含塑料、缓冲材料和封装剂的组中的一项。

根据一个实施例,所述隔离模具处于所标识的目标区域之内。

根据一个实施例,所述第二器件形成于侧壁之内并且所述隔离模具形成于所述侧壁之内。

根据一个实施例,第二隔离模具形成在所述器件的背侧上。

根据本公开的另一方面,提供了一种制造系统,包括:处理工具,其被配置为在半导体器件上执行制造工艺;以及控制单元,其被配置为控制所述处理工具并且标识所述器件中具有高频部件的目标区域,去除所述目标区域下方的衬底材料,并且在所述目标区域内形成多个隔离模具。

根据一个实施例,所述目标区域包括金属线、电容器、金属电容器、晶体管、隔离体、电阻器、端子、触点和电感器中的一个或多个。

根据一个实施例,所述隔离模具包括封装材料。

根据本公开的又一方面,提供了一种用于制造器件的方法,所述方法包括:提供具有芯片和形成于其上的多个部件的半导体器件;标识所述多个部件中处理高频信号的一个或多个高频部件;标识包括所述一个或多个高频部件的一个或多个目标区域;去除所述晶片的在所述一个或多个目标区域内的至少耦合区;并且在所述一个或多个目标区域内形成一个或多个隔离模具。

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