[发明专利]集成电路和设计集成电路的布局的方法

说明书

提供了一种集成电路和设计集成电路的布局的方法。所述方法包括：准备存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线，将第一标准单元和第二标准单元放置成沿平行于所述多条导线的第一边界彼此邻近，当同一电压被施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，通过使用所述多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，所述至少一条第一导线邻近第一边界。

本申请要求于2014年10月22日在美国专利局提交的第62/066977号美国临时申请和在2015年5月29日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0076546号韩国专利申请的权益，该美国临时申请和韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种集成电路(IC)，更具体地，涉及一种包括至少一个标准单元的IC和设计包括至少一个标准单元的IC的布局的方法。

背景技术

设计半导体集成电路(IC)包含将芯片的行为模型转换为特定的结构模型的工艺，所述芯片的行为模型描述了在半导体系统中将被执行的操作，特定的结构模型描述了芯片组件之间的连接。当针对包括在半导体IC中的单元产生库并且利用库来实现半导体IC时，可以减少设计和实现半导体IC所需的时间和成本。

发明内容

在根据发明构思的原理的示例性实施例中，提供了一种设计集成电路(IC)的布局的方法，所述方法包括：准备存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线；将第一标准单元和第二标准单元放置成在平行于多条导线的第一边界彼此邻近；当同一电压施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，通过使用多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，至少一条第一导线邻近第一边界。

在根据发明构思的原理的示例性实施例中，提供了一种IC，所述IC包括：第一标准单元，包括邻近第一边界的第一图案；第二标准单元，包括邻近第一边界的第二图案并且邻近第一标准单元放置，其中，当同一电压施加到第一图案和第二图案时，去耦电容器由使用第一图案与第二图案之间的至少一条第一导线以及第一图案和第二图案来产生，至少一条第一导线被设置成平行于第一边界并且沿第一方向延伸。

在根据发明构思的原理的示例性实施例中，提供了一种使用IC制造的半导体装置，IC包括在第一方向的第一边界彼此邻近的第一标准单元和第二标准单元，半导体装置包括：基底，包括沿基本垂直于第一方向的第二方向连续设置的有源区；多个鳍，在基底上；栅电极，被设置成在多个鳍上沿第一方向延伸；以及第一接触件和第二接触件，设置在多个鳍中的一些上，第一接触件在第一单元中邻近第一边界，第二接触件在第二单元中邻近第一边界，其中，当同一电压施加到第一接触件和第二接触件时，去耦电容器通过使用在第一接触件和第二接触件之间的栅电极中的至少一个第一栅电极与第一接触件和第二接触件来产生。

在根据发明构思的原理的示例性实施例中，设计电子处理器中的集成电路(IC)的布局的方法包括：处理器准备存储第一标准单元和第二标准单元的标准单元库，第一标准单元和第二标准单元中的每个包括沿第一方向延伸的多条导线；处理器将第一标准单元和第二标准单元放置成在平行于多条导线的第一边界彼此邻近；以及当同一电压将被施加到在第一标准单元中邻近第一边界的第一图案和在第二标准单元中邻近第一边界的第二图案时，处理器通过使用多条导线中的至少一条第一导线产生去耦电容器，至少一条第一导线邻近第一边界。

在根据发明构思的原理的示例性实施例中，至少一条第一导线设置在第一边界上。

在根据发明构思的原理的示例性实施例中，方法包括当不同的电压将被施加到第一图案和第二图案时，通过使用至少一条第一导线作为虚设线使第一标准单元与第二标准单元绝缘。