[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201510690768.0 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106611710A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括相邻的NMOS区域和PMOS区域；
向所述NMOS区域的基底内注入第一防穿通离子，在所述NMOS区域的基底内形成第一注入层；
刻蚀所述基底形成多个鳍部，包括位于NMOS区域的第一鳍部，所述第一鳍部之间的基底表面低于所述第一注入层，位于所述第一鳍部中剩余的第一注入层构成第一防穿通层；
在所述第一鳍部之间形成隔离结构，所述隔离结构的表面高于所述第一防穿通层的顶部；
进行退火工艺，以激活所述第一防穿通层。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述NMOS区域的基底内注入第一防穿通离子的步骤包括：所述第一防穿通离子为P型离子，包括氟离子或二氟化硼。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，进行退火工艺的步骤之后，所述第一防穿通层中第一防穿通离子的掺杂浓度在1.0E18atom/cm3到5.0E19atom/cm3范围内。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蚀所述基底形成多个鳍部的步骤包括：多个所述鳍部还包括位于PMOS区域的第二鳍部；
在所述第一鳍部之间形成隔离结构的步骤还包括：在所述第二鳍部之间形成隔离结构。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤之后，刻蚀所述基底的步骤之前，所述形成方法还包括：向所述PMOS区域的基底内注入第二防穿通离子，在所述PMOS区域的基底内形成的第二注入层；
刻蚀所述基底形成多个鳍部的步骤包括：所述第二鳍部之间的基底表面低于所述第二注入层，位于所述第二鳍部中剩余的第二注入层构成第二防穿通层；
在所述第二鳍部之间形成隔离结构的步骤包括：所述隔离结构的表面高 于所述第二防穿通层顶部；
进行退火工艺的步骤包括：所述退火工艺还用于激活所述第二防穿通层。
6.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在所述第二鳍部之间形成隔离结构的步骤之后，进行退火工艺的步骤之前，所述形成方法还包括：向所述PMOS区域的隔离结构内注入第二防穿通离子，并使所述第二防穿通离子扩散进入所述第二鳍部，形成位于第二鳍部内的第二防穿通层；
进行退火工艺的步骤包括：所述退火工艺还用于激活所述第二防穿通层。
7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，向所述PMOS区域的隔离结构内注入第二防穿通离子的步骤包括：采用侧向扩散注入工艺向所述PMOS区域的隔离结构内注入第二防穿通离子。
8.如权利要求5或6所述的形成方法，其特征在于，进行退火工艺的步骤之后，所述第二防穿通层中第二防穿通离子的掺杂浓度在1.0E18atom/cm3到5.0E19atom/cm3范围内。
9.如权利要求5或6所述的形成方法，其特征在于，所述第二防穿通离子为N型离子，包括砷离子。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成隔离结构的步骤之后，进行退火工艺的步骤之前，所述形成方法还包括：向所述NMOS区域的隔离结构内注入防扩散离子，并使所述防扩散离子进入所述第一防穿通层，以防止所述第一防穿通离子扩散。
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，向所述NMOS区域的隔离结构内注入防扩散离子的步骤包括：所述防扩散离子包括碳离子和氮离子。
12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，向所述NMOS区域的隔离结构内注入防扩散离子的步骤包括：采用复合离子注入工艺向所述NMOS区域的隔离结构内注入防扩散离子。
13.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，向所述NMOS区域的隔离结构内注入防扩散离子的步骤还包括：采用侧向扩散注入工艺向所述NMOS区域的隔离结构内注入防扩散离子。
14.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，进行退火工艺的步骤之后，所述第一防穿通层内所述防扩散离子的掺杂浓度在1.0E19atom/cm3到5.0E20atom/cm3范围内。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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