[发明专利]多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案；

和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。

2.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案的步骤具体包括：

利用一次掩膜工艺，对所述树脂材料层、所述层间绝缘材料层和所述栅极绝缘材料层进行刻蚀工艺，在所述树脂材料层、所述层间绝缘材料层和所述栅极绝缘材料层上形成第一过孔、第二过孔，得到所述栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案，所述第一过孔贯穿所述树脂材料层、所述层间绝缘材料层和所述栅极绝缘材料层，所述第二过孔贯穿所述树脂材料层和所述层间绝缘材料层。

3.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案的步骤具体包括：

利用灰度掩膜板，通过一次掩膜工艺形成光刻胶完全去除区、光刻胶完全保留区和光刻胶半保留区，所述光刻胶完全去除区对应除所述公共电极、所述源/漏极和所述数据线之外的区域，所述光刻胶半保留区对应所述公共电极，所述光刻胶完全保留区对应除所述光刻胶完全去除区和所述光刻胶半保留区对应的区域；

通过刻蚀工艺，将所述光刻胶完全去除区对应的所述公共电极层和所述源/漏电极层的部分去除；

对所述光刻胶完全保留区和所述光刻胶半保留区的光刻胶进行灰化处理，将所述光刻胶完全保留区的光刻胶变薄，将所述光刻胶半保留区的光刻胶完全去除；

对剩余的所述源/漏电极层进行刻蚀，并将所述光刻胶完全保留区的光刻胶完全去除，形成所述公共电极、所述源/漏极和所述数据线的图案。

4.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在衬底基板上形成遮光材料层，通过一次构图工艺形成遮光层的图案；

在所述遮光层和所述衬底基板上方形成有源材料层，通过一次构图工艺形成有源层的图案；

在所述有源层上方形成栅极电极层，通过一次构图工艺形成栅极和栅线的图案。

5.根据权利要求1所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述公共电极、所述源/漏极和所述数据线上方形成钝化材料层，通过一次构图工艺形成所述钝化层的图案；

在所述钝化层上方形成像素电极层，通过一次构图工艺形成像素电极的图案。

6.根据权利要求5所述的多晶硅阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺形成所述钝化层的图案的步骤具体包括：

利用一次掩膜工艺，对所述钝化材料层进行刻蚀工艺，在所述钝化材料层形成第三过孔，得到所述钝化层的图案，所述第三过孔贯穿所述钝化材料层。

7.一种多晶硅阵列基板，其特征在于，所述多晶硅阵列基板采用如权利要求1-6中任一项所述的制作方法制作。

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求7所述的多晶硅阵列基板。