[发明专利]多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板。

背景技术

目前，随着电子设备的迅速发展，显示面板越来越多的应用于电子设备中，显示面板包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板是显示面板的重要组成之一。根据阵列基板中的薄膜晶体管的材质，阵列基板可分为多晶硅阵列基板和非晶硅阵列基板，多晶硅阵列基板的电子迁移率远远大于非晶硅阵列基板，因此，多晶硅阵列基板在应用方面具有更大的优势，多晶硅阵列基板往往由低温多晶硅技术得到，低温多晶硅技术是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，镭射光束投射于非晶硅结构的基板上，当非晶硅结构基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构。

但在现有技术中，制作多晶硅阵列基板形成遮光层、有源层、栅极(含栅线)、层间绝缘层(含栅极绝缘层)、源/漏极(含数据线)、树脂平坦层、公共电极、钝化层和像素电极的图案，分别各需要一次构图工艺，一次构图工艺中进行一次掩膜工艺，也就是说，制作多晶硅阵列基板至少需要进行九次掩膜工艺，使得多晶硅阵列基板的制作过程较为复杂，制作困难。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板，用于简化多晶硅阵列基板的制作过程，降低多晶硅阵列基板的制作难度。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

第一方面，本发明提供了一种多晶硅阵列基板的制作方法，包括：

依次形成栅极绝缘材料层、层间绝缘材料层和树脂材料层，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案；

和/或，依次形成公共电极层和源/漏电极层，通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案。

第二方面，本发明提供了一种多晶硅阵列基板，所述多晶硅阵列基板采用上述方案中所述的制作方法制作。

第三方面，本发明提供了另一种显示面板，所述显示面板包括上述方案中所述的多晶硅阵列基板。

本发明提供的多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板中，通过一次构图工艺形成栅极绝缘层、层间绝缘层和树脂平坦层的图案，和/或通过一次构图工艺形成公共电极、源/漏极和数据线的图案，由于一次构图工艺中只需要进行一次掩膜工艺，与现有技术中制作多晶硅阵列基板中的层间绝缘层(含栅极绝缘层)、源/漏极(含数据线)、树脂平坦层、公共电极至少需要进行四次掩膜工艺的制作方法相比，本发明在制作多晶硅阵列基板中的层间绝缘层、含栅极绝缘层、源/漏极和数据线、树脂平坦层、公共电极的过程中只需要进行两至三次掩膜工艺，使得多晶硅阵列基板的过程中减少了一至两次掩膜工艺，简化了多晶硅阵列基板的制作过程，降低了多晶硅阵列基板的制作难度。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例一中的多晶硅阵列基板的制作方法的流程图；

图2为本发明实施例一中的多晶硅阵列基板的结构示意图一；

图3为本发明实施例一中的多晶硅阵列基板的结构示意图二；

图4为本发明实施例一中的多晶硅阵列基板的结构示意图三；

图5为本发明实施例二中的多晶硅阵列基板的制作方法的流程图；

图6为本发明实施例三中的多晶硅阵列基板的制作方法的流程图；

图7a-图7g为本发明实施例三中的多晶硅阵列基板的工序示意图。

附图标记：

10-衬底基板，11-遮光层，

12-缓冲层，13-有源层，

14-欧姆接触层，15-漏极轻掺杂层，

16-栅极绝缘层，17-栅极和栅线，

18-层间绝缘层，19-树脂平坦层，

20-公共电极，21-源/漏极和数据线，

22-钝化层，23-像素电极。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的多晶硅阵列基板的制作方法、多晶硅阵列基板及显示面板，下面结合说明书附图进行详细描述。

实施例一

请参阅图1，本发明实施例提供的多晶硅阵列基板的制作方法，包括：