[发明专利]一种多进口空腔加热支撑架

说明书

一种多进口空腔加热支撑架，主要解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢而导致半导体镀膜设备热交换效率及产能较低，晶圆温度不够均匀致使薄膜失败的问题，本发明提供一种多进口空腔加热支撑架，该加热支撑架包括支撑架上盘体，支撑架下盘体，导流槽盖板，陶瓷柱及陶瓷柱安装螺母。本发明的加热支撑架通过循环媒介的自动控温，可以实现对加热支撑架温度的自动调节，能够精确的控制加热支撑架的温度。

技术领域

本发明涉及一种多进口空腔加热支撑架，属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。

背景技术

半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。大多数半导体薄膜沉积设备，在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应，因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放，加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升，如果在进行相同温度下的工艺，需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行，这样会耗费大量的时间，设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快，晶圆和加热盘的温度会超出薄膜所需承受的温度，致使薄膜失败。

为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢而导致半导体镀膜设备热交换效率及产能较低，晶圆温度不够均匀致使薄膜失败的问题，我们需要有能够自动调温的装置，来保证加热盘的温度。

发明内容

本发明以解决上述问题为目的，提供了一种多进口空腔加热支撑架，该支撑架采用支撑架上盘体与支撑架下盘体形成的空腔，并且利用媒介的循环进行冷却和加热，对支撑架进行温度的控制。

为实现上述目的，本发明采用下述技术方案：

一种多进口空腔加热支撑架，该加热支撑架包括支撑架上盘体，支撑架下盘体，导流槽盖板，陶瓷柱及陶瓷柱安装螺母；所述支撑架上盘体的下盘面设有凸台A，凸台B，陶瓷柱孔及热电偶孔，凸台A与凸台B形成环形沟槽，凸台B上分布有三个导流口，为媒介流入腔体内提供通道；所述陶瓷柱孔与热电偶孔的外围分别设有凸台C和凸台D；所述支撑架下盘体的上盘面上与上述陶瓷柱孔相对应的位置设有螺纹孔，在上盘面靠近中心的位置设有媒介入口、媒介出口及与上述热电偶孔位置相对应的热电偶安装螺纹孔，还设有以媒介入口为中心分别向支撑架下盘体外围开有的三个导流槽，每个导流槽的两侧分别有凸台E，用于承载导流槽盖板，每个导流槽的外端还设有终端孔，终端孔的位置在上述环形沟槽对应的范围内；所述导流槽盖板的外端设有与导流槽终端孔相对应的导流槽盖板端孔；

所述支撑架下盘体通过导流槽与导流槽盖板焊接后再与支撑架上盘体通过真空钎焊进行焊接，然后将陶瓷柱安装在陶瓷柱孔内，再采用陶瓷柱安装螺母通过螺纹孔对陶瓷柱进行固定形成空腔。

所述凸台A、凸台B、凸台C与凸台D的高度相等。

本发明的有益效果及特点在于：

本发明的多进口空腔加热支撑架，通过循环媒介的自动控温，可以实现对加热支撑架温度的自动调节，能够精确的控制加热支撑架的温度。

附图说明

图1为本发明的多进口空腔加热支撑架的结构示意图；

图2为本发明支撑架上盘体的下盘面的结构示意图；

图3为本发明支撑架下盘体的上盘面的结构示意图；

图4为办发明的导流槽盖板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例进一步对本发明进行详细说明，但发明保护内容不局限于所述实施例：