[发明专利]基板处理装置和基板清洁方法在审
申请号: | 201510698174.4 | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN105551999A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李成洙;赵根济;权淳甲;金钟翰;李福圭;朱润钟 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鼎宏元正知识产权代理事务所(普通合伙) 11458 | 代理人: | 李波 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 清洁 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
一壳体,定义用于在其中处理一基板的一空间;
一旋转头,在所述壳体中支撑和旋转所述基板;
一喷射单元,包括一第一喷嘴构件,用于在放置于所述旋转头上的 所述基板上喷射第一处理溶液;以及
一控制器,控制所述喷射单元,
其中,所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的 边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液;以及
其中,所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处 理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所 在的一第二高度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述第二高度高于 所述第一高度。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述控制器控制所 述第一喷嘴构件以使得所述第一喷嘴构件的高度随着所述第一喷嘴构件 从所述基板的边缘区域移向其中心区域而逐渐增加。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述控制器控制所 述第一喷嘴构件以使得所述第一喷嘴构件的高度随着所述第一喷嘴构件 从所述基板的边缘区域移向其中心区域而连续增加。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,所述第一喷嘴构件 包括:
一本体,其内包括有一注射流道和一第一排放孔,使第一处理溶液 流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述第一排放孔,并将所述 第一处理溶液喷射到基板上;以及
一振动器,安装于所述本体内并且对流入所述注射流道的所述第一 处理溶液提供振动。
6.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,所述第一喷嘴构件 包括:
一本体,其内包括有一注射流道和多个第一微孔,使第一处理溶液 流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述多个第一微孔,并将所 述第一处理溶液喷射到基板上。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,所述第一喷嘴构件 包括:
一本体,其内包括有一注射流道和一第一排放孔,使第一处理溶液 流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述第一排放孔,并将所述 第一处理溶液喷射到基板上;以及
一气体供给单元,安装于所述本体内,用以喷射气体并伴有通过所 述第一排放孔喷射的所述第一处理溶液。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,所述注射流道包括 一第一区域和一第二区域,所述第一区域和第二区域在俯视时都具有环形 形状,以及
其中,所述第一区域的半径大于所述第二区域的半径。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,当俯视时,所述第 一区域的所述第一排放孔被提供为沿第一区域排成一行,并且所述第二区 域的所述第一排放孔被提供为沿所述第二区域排成两行。
10.一种基板处理装置,包括:
一壳体,定义用于在其中处理一基板的一空间;
一旋转头,在所述壳体中支撑和旋转所述基板;
一喷射单元,包括一用于在放置于所述旋转头的所述基板上喷射第 一处理溶的第一喷嘴构件;以及
一控制器,控制所述喷射单元,
其中所述第一喷嘴构件包括:
一本体,其内包括有一注射流道和一第一排放孔,使第一处理溶液 流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所述第一排放孔,并将所述 第一处理溶液喷射到基板上;以及
一振动器,安装于所述本体内并且对流入所述注射流道的所述第一 处理溶液提供振动,以及
其中,所述控制器在将所述第一喷嘴构件在所述基板上方在基板的 边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶液,以及
其中,所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一处 理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液所 在的一第二高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510698174.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造