[发明专利]基板处理装置和基板清洁方法

说明书

技术领域

本文描述的本发明概念的实施方式涉及一种基板处理装置和使用其 的基板清洁方法。

背景技术

在衬底上执行各种工艺过程如光刻，蚀刻，灰化，离子注入，和薄膜 沉积以便制造半导体器件或液晶显示器。用于除去附着在基板表面的各种 污染物质和颗粒的基板清洁工艺可在用于制造半导体器件的每个单元工 艺过程之前和之后进行。

例如喷射化学品，包含气体处理溶液，或伴有振动的处理溶液等各种 方法可以被用作除去残留在基板表面上的各种污染物质和颗粒的清洁工 艺。

发明内容

本发明概念的实施例提供一种能够提高清洁效率的基板处理装置。

本发明概念的实施例提供一种基板处理装置。

一方面，本发明概念的实施例旨在提供一种基板处理装置。所述基 板处理装置包括：一壳体，定义用于在其中处理一基板的一空间；一旋转 头，在所述壳体中支撑和旋转所述基板；一喷射单元，包括一第一喷嘴构 件，用于在放置于所述旋转头上的所述基板上喷射第一处理溶液；以及一 控制器，控制所述喷射单元，其中，所述控制器在将所述第一喷嘴构件在 所述基板上方在基板的边缘和中心区域之间移动的同时喷射第一处理溶 液；以及其中，所述控制器有区别地调节在所述基板边缘区域上喷射第一 处理溶液所在的一第一高度和在所述基板中心区域上喷射第一处理溶液 所在的一第二高度。

所述第二高度可高于所述第一高度。

所述控制器控制所述第一喷嘴构件以使得所述第一喷嘴构件的高度 随着所述第一喷嘴构件从所述基板的边缘区域移向其中心区域而逐渐增 加。

所述控制器控制所述第一喷嘴构件以使得所述第一喷嘴构件的高度 随着所述第一喷嘴构件从所述基板的边缘区域移向其中心区域而连续增 加。

所述第一喷嘴构件可包括：一本体，其内包括有一注射流道和第一 排放孔，使第一处理溶液流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所 述第一排放孔并将所述第一处理溶液喷射到基板上；以及一振动器，安装 于所述本体内并且对流入所述注射流道的所述第一处理溶液提供振动。

所述第一喷嘴构件可包括：一本体，其内包括有一注射流道和多个 第一微孔，使第一处理溶液流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的 所述多个第一微孔并将所述第一处理溶液喷射到基板上。

所述第一喷嘴构件可包括：一本体，其内包括有一注射流道和第一 排放孔，使第一处理溶液流过所述注射流道和与所述注射流道相连接的所 述第一排放孔并将所述第一处理溶液喷射到基板上；以及一气体供给单 元，安装于所述本体内且喷射气体并伴有通过所述第一排放孔喷射的所述 第一处理溶液一同喷射气体。

所述注射流道可包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域和第 二区域在俯视时都具有环形形状，并且所述第一区域的半径大于所述第二 区域的半径。

当俯视时，所述第一区域的所述第一排放孔可被提供为沿第一区域 排成一行，并且所述第二区域的所述第一排放孔被提供为沿所述第二区域 排成两行。

然而，本发明的概念可被实施为各种不同的形式，而不能被解释为仅 限于所示实施例。对于本领域技术人员来说，本发明概念的实施例被提供 为更完全地解释本发明概念的范围。

附图说明

通过下面参考以下附图的描述，上述和其它目的和特征将变得显而易 见，其中，除非另有指定，在全部各图中同样的参考标号指代同样的部分， 并且其中：

图1示出了一基板处理装置的俯视图；

图2示出了图1的基板处理装置的剖视图；

图3示出了图2的第一喷嘴构件的剖视图；

图4示出了图3的第一喷嘴构件的仰视图；

图5示出了传统基板清洁方法；

图6示出了当用图5的基板清洁方法喷射第一处理溶液时所述第一处 理溶液被供给的区域；

图7图示出了根据本发明概念的一实施例，用第一喷嘴构件将第一处 理溶液供给至基板上的基板清洁方法；

图8图示出了根据本发明概念的另一实施例，用第一喷嘴构件将第一 处理溶液供给至基板上的基板清洁方法；

图9图示出了第一处理溶液到达基板的表面速度根据第一喷嘴构件 的喷射高度而改变；