[发明专利]半导体及制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

包括半导体材料的衬底；

位于所述半导体材料中且以第一方向延伸的第一深沟槽；

位于所述半导体材料中且以第二方向延伸的第二深沟槽；以及

所述第一深沟槽与所述第二深沟槽相交处的交叉区域；以及

位于所述交叉区域中的结构。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述结构由半导体材料组成。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述结构由与所述衬底相同的半导体材料组 成。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一深沟槽具有第一深沟槽宽度，其中 所述交叉区域具有交叉区域侧，且其中所述交叉区域侧与所述结构之间的距离约为 所述第一深沟槽宽度。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一深沟槽具有第一深沟槽宽度，其中 所述交叉区域具有交叉区域侧，且其中所述交叉区域侧与所述结构之间的所述距离 小于所述第一深沟槽宽度。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述第一深沟槽与所述第二深沟槽相交处 所述交叉区域具有至少一个弯曲处。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述第一深沟槽与所述第二深沟槽相交处 所述交叉区域具有至少一个弯曲处，其中所述第一深沟槽具有第一深沟槽宽度，且 其中所述至少一个弯曲处与所述结构之间的最短距离约为所述第一深沟槽宽度。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中在所述第一深沟槽与所述第二深沟槽相交处 所述交叉区域具有至少一个弯曲处，其中所述第一深沟槽具有第一深沟槽宽度，且 其中所述至少一个弯曲处与所述结构之间的所述最短距离小于所述第一深沟槽宽 度。

9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述衬底具有顶表面，其中所述结构具有顶 表面，且其中所述衬底的所述顶表面与所述结构的所述顶表面实质上在一个平面 上。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中使用多晶硅填充所述第一深沟槽、所述第二 深沟槽及所述交叉区域。

11.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述衬底具有顶表面，且其中当从所述顶表 面观察时所述结构为实质上正方形。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一深沟槽及所述第二深沟槽被蚀刻到 所述衬底中，且其中所述结构为所述衬底的未被蚀刻的部分。

13.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括以所述第一方向延伸的多个第一深 沟槽及以所述第二方向延伸的多个第二深沟槽，其中所述多个第一深沟槽及所述多 个第二深沟槽环绕含有至少一个电子组件的至少两个区域，且其中所述至少两个区 域共享所述多个第一深沟槽中的一者或所述多个第二深沟槽中的一者。

14.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括以所述第一方向延伸的多个第一深 沟槽及以所述第二方向延伸的多个第二深沟槽，其中所述多个第一深沟槽及所述多 个第二深沟槽环绕含有至少一个电子组件的四个区域，且其中所述四个区域共享所 述多个第一深沟槽中的一者及所述多个第二深沟槽中的一者。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述交叉区域邻近所述四个区域。

16.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：

形成第一深沟槽及第二深沟槽于衬底中，其中所述第一深沟槽与所述第二深沟槽 在交叉区域处相交；以及

将结构留在所述交叉区域中。

17.根据权利要求16所述的方法，且其进一步包括使用多晶硅填充所述第一深沟槽、 所述第二深沟槽及所述交叉区域。

18.根据权利要求16所述的方法，其中将结构留在所述交叉区域中包括将实质上正方 形结构留在所述交叉区域中。