[发明专利]LED面板灯用扩散板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510701825.0 申请日: 2015-10-26
公开(公告)号: CN105242335A 公开(公告)日: 2016-01-13
发明(设计)人: 蒋建华;张科;黄慧诗;张琦;李睿;承铁冶 申请(专利权)人: 江苏新广联科技股份有限公司
主分类号: G02B5/02 分类号: G02B5/02;G03F7/00;F21S2/00
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;张涛
地址: 214192 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: led 面板 扩散 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是,所述扩散板的制备方法包括如下步骤:

(a)、提供母盘衬底(10),并在所述母盘衬底(10)的正面设置双层掩膜层,所述双层掩膜层包括覆盖于母盘衬底(10)正面的底层掩膜(9)以及位于底层掩膜(9)上的光刻胶层(8);

(b)、在上述双层掩膜层上制作所需的刻蚀窗口,所述刻蚀窗口贯通光刻胶层(8)以及底层掩膜层(9);

(c)、利用上述刻蚀窗口对母盘衬底(10)进行纵向刻蚀,以在所述母盘衬底(10)内得到沟槽(13),所述沟槽(13)从母盘衬底(10)的正面垂直向下延伸;

(d)、利用刻蚀窗口对上述母盘衬底(10)内的沟槽(13)进行横向刻蚀,以得到若干母盘微凸结构(14);

(e)、去除上述母盘微凸结构(14)上的底层掩膜(9)以及光刻胶层(8),并对母盘衬底(10)的背面进行减薄;

(f)、利用线切割对上述的母盘衬底(10)进行切割,以得到所需的母盘(16),利用电铸工艺将所述母盘(16)进行翻录后剥离,以得到所需的金属母盘:

(g)、将上述金属母盘装入注塑机内,利用常规的注塑工艺制备与光盘相似的扩散板(1),所述扩散板(1)的中心区设有贯通扩散板(1)的扩散板圆孔(2),且在扩散板(1)内形成于与母盘微凸结构(14)相对应的导光微结构(4)。

2.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:所述底层掩膜(9)包括二氧化硅层,所述二氧化硅层通过PECVD生长在母盘衬底(10)的正面,底层掩膜(9)的厚度为200nm~2000nm,所述光刻胶层(8)的厚度为10μm~50μm。

3.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是,步骤(b)中,在双层掩膜层上制作刻蚀窗口时,包括如下步骤:

(b1)、利用光刻版对光刻胶层(8)进行光刻,以得到若干贯通光刻胶层(8)的光刻胶刻蚀窗口(11);

(b2)、利用BOE溶液对底层掩膜(9)进行刻蚀,以得到贯通底层掩膜(9)的底层掩膜刻蚀窗口(12),所述底层掩膜刻蚀窗口(12)与光刻胶刻蚀窗口(11)对应一致。

4.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:步骤(c)中,对母盘衬底(10)进行纵向刻蚀时,ICP刻蚀设备的上偏压功率为1000W~1500W,下偏压功率为0W~50W,刻蚀气体BCl3的流量为100sccm~150sccm,刻蚀气体Cl2的流量为5sccm~10sccm,纵向刻蚀时间为1500s~3000s。

5.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:步骤(d)中,对母盘衬底(10)进行横向刻蚀时,ICP刻蚀设备的上偏压功率为500W~1000W,下偏压功率为300W~1000W,刻蚀气体BCl3的流量为50sccm~100sccm,刻蚀气体Cl2的流量为10sccm~50sccm,横向刻蚀时间为500s~1000s。

6.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:步骤(e)中,利用研磨对母盘衬底(10)的背面进行减薄,以使得减薄后母盘衬底(10)的厚度为300μm。

7.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:所述母盘微凸结构(14)的形状包括圆锥状、半球状或圆台状。

8.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:所述扩散板(1)的材质包括光学级PC(聚碳酸酯)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS);所述扩散板(1)的半径为60±1mm,厚度为1.2±0.1mm,扩散板圆孔(2)的半径为10-40mm。

9.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:所述扩散板(1)内的导光微结构(4)排布形成用于对进入扩散板(1)的光线进行导光以及散射的导光体(6),所述导光体(6)在扩散板(1)内呈绕扩散板圆孔(2)的螺旋状分布,或导光体(6)在扩散板(1)内呈多个相互平行分布的圆环状分布。

10.根据权利要求1所述的LED面板灯用扩散板的制备方法,其特征是:所述母盘衬底(10)包括蓝宝石衬底或硅衬底。

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