[发明专利]一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺

权利要求书

1.一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其特征在于，所述工艺包括：

提供一经过平坦化工艺处理的晶圆；

于反应腔室中充入一气体，在所述晶圆的经过所述平坦化工艺处理的表面生长SiO2膜；

采用第一等离子工艺处理所述生长有SiO2膜后剩余的气体；

于反应腔室中通入载气；

将晶圆送出所述反应腔。

2.如权利要求1所述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其特征在于，所述方法中，将所述晶圆送出反应腔前进行的步骤还包括：

将所述反应腔抽成真空。

3.如权利要求1所述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其特征在于，采用第二等离子体气相化学沉积技术制备所述SiO2膜。

4.如权利要求3所述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其特征在于，所述第一等离子体工艺与所述第二等离子体工艺反应气体相同。

5.如权利要求4所述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其特征在于，所述bump颗粒的形状为月牙形。