[发明专利]一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺。

背景技术

半导体芯片制造工艺中段金属前介电质层在表面平坦化后往往会覆盖一层氧化硅膜层(SiO2)。该SiO2膜层主要作用是修复介电质层在平坦化过程中产生的表面划痕，或者为了防止掺杂类介电质层中掺杂物质的析出。使用等离子体气相化学沉积技术(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子气相化学沉积技术，简称PECVD)可完成该膜层的生长，晶圆传输该设备工艺腔室淀积薄膜时，需要先将晶圆与提供反应热量的加热底座(Heater)一起托举，与腔室内通入反应气体的淋头(Showhead)保持设定促进指定反应的距离，沉积后再一起降至初始位置(Lift)后将晶圆传送出工艺腔室。为了提升SiO2反应腔室的洁净度，减少大颗粒影响产品质量，SiO2在成膜淀积后，先通过载气清除未反应的残气(purge)，再将执行降至初始位置的动作后，然后将腔室抽真空(Bump)后将晶圆传出。由于SiO2成膜后残气的不彻底性，导致一些未能立即清除的残气在晶圆靠近抽气出口(bumpingport)的边缘发生异常成核形成小颗粒，该颗粒尺寸过小，无法通过颗粒检测仪器检出，但是会被后续掩模薄膜沉积后尺寸放大(Enhance)，出现晶圆边缘弧形并可以通过颗粒检测仪器检出的小鼓包状颗粒，即bump颗粒。物质分析显示bump颗粒的材质为掩模层物质，不会对掩模层作用产生影响，但是会误导检测掩模层表面的真正有危害的颗粒(particle)，影响颗粒缺陷检测的准确性。

因此，如何尽可能减少bump颗粒对缺陷颗粒检测的准确性造成的影响成为本领域技术人员面临的一大难题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提出一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，在平坦化处理后的晶圆表面初步形成SiO2膜后，通过一等离子体处理工艺除去制备SiO2膜过程中的残气，然后再在反应腔中充入载气，进一步除去未反应完全的残气，该技术方案具体为：

一种消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其中，所述工艺包括：

提供一经过平坦化工艺处理的晶圆；

于反应腔室中充入一气体，在所述晶圆的经过所述平坦化工艺处理的表面生长SiO2膜；

采用第一等离子工艺处理所述生长有SiO2膜后剩余的气体；

于反应腔室中通入载气；

将晶圆送出所述反应腔。

上述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其中，所述方法中，将所述晶圆送出反应腔前进行的步骤还包括：

将所述反应腔抽成真空。

上述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其中，采用第二等离子体气相化学沉积技术制备所述SiO2膜。

上述的消除无氮抗反射层bump颗粒生成的工艺，其中，所述第一等离子体工艺与所述第二等离子体工艺反应气体相同。

上述的消除无氮抗反射层月牙形颗粒生成的工艺，其中，所述bump颗粒的形状为月牙形。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

通过本技术方案，有效减少了晶圆的靠近抽气口的边缘产生的bump颗粒，有效避免了bump颗粒给颗粒缺陷检测带来的影响，提高了缺陷颗粒检测的正确性。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为现有技术中减少bump颗粒产生的流程图；

图2为本发明一实施例中减少bump颗粒产生的流程图；

图3-4为本发明一实施例中采用本发明的工艺与采用传统工艺生成的SiO2膜的晶圆表面的比对结构示意图。

具体实施方式

为了让具备本项发明所属领域常规知识的人员轻松实施本项发明，参照下面所示的附图，对本项发明的实例进行详细说明。但，本项发明可按照不同的形态实施，不仅仅局限于在此说明的实例。为了更加明确地说明本项发明，省略了图纸中与说明无关的部分；而且，在整个说明书中，向类似部分赋予类似的图纸符号。

在本项发明的整个说明书中，某一个部分与另一个部分的“连接”，不仅包括“直接连接”，还包括通过其他元器件相连的“电气性连接”。

在本项发明的整个说明书中，某一个部件位于另一个部件的“上方”，不仅包括某一个部件与另一个部件相接处的状态，还包括两个部件之间还设有另一个部件的状态。