[发明专利]一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510704624.6 | 申请日： | 2015-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105200382A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 温翠莲;陈志坚;周白杨;詹晓章;黄小桂;熊锐;林逵 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ge 掺杂 mg sub si 热电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜的制备方法，其特征在于：采用磁控溅射沉积法进行双靶循环溅射，其中，一靶位放Mg2Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Ge靶，电源选用直流电源；对绝缘衬底进行有机溶剂超声波清洗；本底真空度优于6.5×10-4Pa，工作气体为高纯Ar气，工作气压为0.1～5.0Pa；先在衬底上镀一层Mg2Si，接着镀一层Ge，再镀一层Mg2Si；如此往复多次，制得具有叠层结构的薄膜，最后采用真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用双靶循环溅射的方法将Ge元素分多次溅射到Mg2Si薄膜层中实现掺杂，循环周期为1～24次，Ge和Mg2Si的溅射时间比为1:4～1:60，总溅射时间和为0.5～1.5h。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，Mg2Si靶射频溅射功率为40～200W，Ge靶直流溅射功率为20～150W。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在溅射完成后，关闭溅射源，在本底真空度优于5.0×10-4Pa的真空室中通入高纯Ar气，关小抽气阀门，使Ar气的气氛维持在1～50Pa；在试样不出炉的情况下进行真空退火获得Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，退火温度为100～500℃，退火时间为0.5h～5h。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的有机溶剂依次为丙酮、酒精，超声波清洗时间为10～30min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的绝缘衬底为绝缘玻璃、单晶Si、石英、Al2O3中的一种。
8.一种如权利要求1所述的方法制得的Ge掺杂Mg2Si基热电薄膜。
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