[发明专利]像素阵列

权利要求书

1.一种像素阵列，其特征在于，包括：

一基板；

一第一图案化金属层，配置于该基板上，且包括一第一扫描线、一第一栅极以及一第二栅极，其中该第一栅极电连接于该第一扫描线；

一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层与该基板上；

一图案化半导体层，配置于该第一绝缘层上，其中该图案化半导体层包括在垂直投影方向上与该第一栅极重叠的一第一半导体图案层以及与该第二栅极重叠的一第二半导体图案层；

一第二图案化金属层，配置于该图案化半导体层及该第一绝缘层上，且该第二图案化金属层包括一数据线、一第一源极、一第一漏极、一第二源极以及一第二漏极；

一透明导电层，配置于该第一绝缘层上，且包括与该第一漏极电连接的一第一透明导电层以及与该第二漏极电连接的一第二透明导电层；

一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层及该第一绝缘层上，其中该第一绝缘层及该第二绝缘层共同具有贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层以暴露出该第二栅极的一接触窗；以及

一第三图案化金属层，配置于该第二绝缘层上，且包括一第二扫描线，其中该第二扫描线通过该接触窗与该第二栅极电连接，且该第二扫描线与该第一扫描线于垂直投影方向上重叠。

2.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该数据线的延伸方向相交于该第一扫描线的延伸方向，该第一源极与该第一漏极彼此分离地配置于该第一半导体图案层上且该第一源极连接于该数据线，该第二源极与该第二漏极彼此分离地配置于该第二半导体图案层上且该第二源极连接于该数据线。

3.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该第二扫描线还包括一凸部，该凸部于垂直投影方向上重叠于该第二栅极，且该凸部通过该接触窗与第二栅极电连接。

4.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该第二栅极与该第一栅极及第一扫描线分离设置且未电连接。

5.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该第一透明导电层与该第二透明导电层分别位于该数据线的两侧。

6.如权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，该第二扫描线与该第一扫描线的部分重叠处于垂直投影方向上与该数据线重叠。

7.一种像素阵列，其特征在于，包括：

一基板；

一第一图案化金属层，配置于该基板上，且包括一扫描线、一第一栅极以及一第二栅极，其中该第一栅极及该第二栅极皆电连接于该扫描线；

一第一绝缘层，配置于该第一图案化金属层与该基板上；

一图案化半导体层，配置于该第一绝缘层上，且包括在垂直投影方向上与该第一栅极重叠的一第一半导体图案层以及与该第二栅极重叠的一第二半导体图案层；

一第二图案化金属层，配置于该图案化半导体层及该第一绝缘层上，且该第二图案化金属层包括一第一数据线、一第一源极、一第一漏极、一第二源极以及一第二漏极；

一第二绝缘层，配置于该第二图案化金属层及该第一绝缘层上；

一钝化层，配置于该第二绝缘层上，其中该第二绝缘层及该钝化层共同具有分别贯穿该第二绝缘层及该钝化层的一第一接触窗、一第二接触窗及一第三接触窗，且该第一接触窗、该第二接触窗及该第三接触窗各别暴露出该第二源极、该第一漏极与该第二漏极；

一透明导电层，配置于该钝化层上，且包括通过该第二接触窗及该第三接触窗分别与该第一漏极及该第二漏极电连接的一第一透明导电层及一第二透明导电层；以及

一第三图案化金属层，配置于该钝化层上，且包括一第二数据线，其中该第二数据线通过该第一接触窗与该第二源极电连接，且该第二数据线与该第一数据线于垂直投影方向上重叠。

8.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，该第一数据线的延伸方向相交于该扫描线的延伸方向，该第一源极与该第一漏极彼此分离地配置于该第一半导体图案层上且该第一源极连接于该第一数据线，该第二源极与该第二漏极彼此分离地配置于该第二半导体图案层上。

9.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，该第二数据线还包括一凸部，该凸部于垂直投影方向上重叠于该第二源极，且该凸部通过该第一接触窗与第二数据线电连接。

10.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，该第二源极与该第一源极及第一数据线分离设置且未电连接。

11.如权利要求7所述的像素阵列，其特征在于，该第一透明导电层与该第二透明导电层分别位于该第一数据线及该第二数据线的两侧。