[发明专利]像素阵列在审

专利信息
申请号: 201510704785.5 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105185295A 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 廖彩惠;沈孟纬;郑启彬 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09F9/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 王涛
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 阵列
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种像素阵列,且特别是有关于一种具有高开口率的像素阵列。

背景技术

近年来,显示装置除了追求高对比、广视角、高色彩饱和度之外,还朝向高分辨率发展。特别是,在移动显示装置方面,消费者使用移动显示装置浏览网页或观看影音多媒体的习惯逐渐形成,而移动显示装置的分辨率对观赏的品质扮演重要的角色。

一般而言,移动显示装置的面积不大。为了使移动显示装置达到高分辨率,设计者需在有限的面积内置入多个像素结构。然而,像素结构中有许多透光度低的膜层(例如数据线、扫描线等所属的膜层),当移动显示装置中像素结构的数目增加时,移动显示装置的开口率也急剧下降。如此一来,移动显示装置便需消耗更多的功率在提升显示亮度上,而不利于移动显示装置可使用的时间。因此,如何适当地设计像素结构中各膜层的图案以达到增加开口率目的,实为研发者所欲达成的目标之一。

发明内容

本发明提供一种像素阵列,其具有高开口率。

本发明的一像素阵列包括基板、第一图案化金属层、第一绝缘层、图案化半导体层、第二图案化金属层、透明导电层、第二绝缘层以及第三图案化金属层。第一图案化金属层配置于基板上,且包括第一扫描线、第一栅极以及一第二栅极,其中第一栅极电连接于第一扫描线。第一绝缘层配置于第一图案化金属层与该基板上。图案化半导体层配置于第一绝缘层上,其中图案化半导体层包括在垂直投影方向上与第一栅极重叠的第一半导体图案层以及与第二栅极重叠的第二半导体图案层。第二图案化金属层配置于图案化半导体层及第一绝缘层上,且包括数据线、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。透明导电层配置于第一绝缘层上,且包括与第一漏极电连接的第一透明导电层以及与第二漏极电连接的第二透明导电层。第二绝缘层配置于第二图案化金属层及第一绝缘层上,其中第一绝缘层及第二绝缘层共同具有贯穿第一绝缘层及第二绝缘层以暴露出第二栅极的接触窗。第三图案化金属层配置于第二绝缘层上,且包括第二扫描线,其中第二扫描线通过该接触窗与第二栅极电连接,且第二扫描线与第一扫描线于垂直投影方向上重叠。

本发明的另一像素阵列包括基板、第一图案化金属层、第一绝缘层、图案化半导体层、第二图案化金属层、第二绝缘层、钝化层、透明导电层以及第三图案化金属层。第一图案化金属层配置于基板上,且包括扫描线、第一栅极以及第二栅极,其中第一栅极及第二栅极皆电连接于扫描线。第一绝缘层配置于第一图案化金属层与基板上。图案化半导体层配置于第一绝缘层上,且包括在垂直投影方向上与第一栅极重叠的第一半导体图案层以及与第二栅极重叠的第二半导体图案层。第二图案化金属层配置于图案化半导体层及第一绝缘层上,且包括第一数据线、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第二绝缘层配置于第二图案化金属层及第一绝缘层上。钝化层配置于第二绝缘层上,其中第二绝缘层及钝化层共同具有分别贯穿第二绝缘层及钝化层的第一接触窗、第二接触窗及第三接触窗,且第一接触窗、第二接触窗及第三接触窗各别暴露出第二源极、第一漏极与第二漏极。透明导电层配置于钝化层上,且包括通过第二接触窗及第三接触窗分别与第一漏极及第二漏极电连接的第一透明导电层及第二透明导电层。第三图案化金属层配置于钝化层上,且包括第二数据线,其中第二数据线通过第一接触窗与第二源极电连接,且第二数据线与第一数据线于垂直投影方向上重叠。

基于上述,在本发明的像素阵列中,通过设置了分属于不同金属膜层且于垂直投影方向上相重叠的第一扫描线与第二扫描线,其中第二扫描线还藉由接触窗与第二栅极电连接,或是通过设置了分属于不同金属膜层且于垂直投影方向上相重叠的的第一数据线与第二数据线,其中第二数据线还藉由接触窗与第二源极电连接,使得像素阵列能够具有高开口率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施方式,并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明一实施方式的像素阵列的俯视示意图。

图2是沿图1的剖线I-I’的剖面示意图。

图3是依照本发明的另一实施方式的像素阵列的俯视示意图。

图4是沿图3的剖线II-II’的剖面示意图。

符号说明:

10、20:像素阵列

100、200:基板

102、202:第一绝缘层

104、204:图案化半导体层

106、210:透明导电层

108、206:第二绝缘层

208:钝化层

CH1、CH3:第一半导体图案层

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