[发明专利]像素阵列及其掩模结构在审
申请号: | 201510704842.X | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105374851A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 林冠亨;陈重嘉;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 结构 | ||
1.一种像素阵列,其特征在于,包括:
一基板,包括一第一区域、一第二区域以及一第三区域,所述第一区域的一长边 与所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度,且所述第二区域的一长边与 所述第三区域的一长边之间的夹角为60度至120度;
至少两个第一颜色子像素,沿着所述第一区域的一长边方向而设置于所述第一区 域中;
至少两个第二颜色子像素,沿着所述第二区域的一长边方向而设置于所述第二区 域中;以及
至少两个第三颜色子像素,沿着所述第三区域的一长边方向而设置于所述第三区 域中,其中
所述第一区域内的其中一第一颜色子像素、所述第二区域内的其中一第二颜色子 像素以及所述第三区域内的其中一第三颜色子像素构成一像素单元。
2.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一区域的所述长边与所 述第二区域的所述长边实质上彼此平行,且所述第一区域的所述长边与所述第三区域 的所述长边之间的夹角为90度至120度。
3.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一区域的所述长边与X 方向之间的夹角为θ,所述第二区域的所述长边与X方向之间的夹角为θ,所述第 三区域的所述长边与X方向之间的夹角为90–θ,其中θ大于0且小于90度。
4.如权利要求3所述的像素阵列,其特征在于,所述夹角θ为45度。
5.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一区域的所述长边与一 短边之间的比例为2:1,所述第二区域的所述长边与一短边之间的比例为2:1,且 所述第三区域的所述长边与一短边之间的比例为2:1。
6.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一区域、所述第二区域 以及所述第三区域具有一接触点,且所述第一区域内靠近所述接触点的所述第一颜色 子像素、所述第二区域内靠近所述接触点的所述第二颜色子像素以及所述第三区域内 靠近所述接触点的第三颜色子像素构成所述像素单元。
7.如权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,每一第一颜色子像素、每一第 二颜色子像素以及每一第三颜色子像素各自包括:
一驱动元件;
一第一电极,与所述驱动元件电连接;
一发光层,位于所述第一电极上:以及
一第二电极,位于所述发光层上。
8.如权利要求7所述的像素阵列,其特征在于:
在所述第一区域中,所述至少两个第一颜色子像素的所述发光层为同一膜层;
在所述第二区域中,所述至少两个第二颜色子像素的所述发光层为同一膜层;以 及
在所述第三区域中,所述至少两个第三颜色子像素的所述发光层为同一膜层。
9.如权利要求7所述的像素阵列,其特征在于:
所述至少两个第一颜色子像素的所述发光层填满所述第一区域;
所述至少两个第二颜色子像素的所述发光层填满所述第二区域;以及
所述至少两个第三颜色子像素的所述发光层填满所述第三区域。
10.权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述第一区域、所述第二区域以 及所述第三区域之间形成一间隙区域,且所述间隙区域具有一黑色矩阵材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510704842.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有锥形栅极结构的半导体器件和方法
- 下一篇:半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的