[发明专利]像素阵列及其掩模结构在审
申请号: | 201510704842.X | 申请日: | 2015-10-27 |
公开(公告)号: | CN105374851A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 林冠亨;陈重嘉;李孟庭 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 及其 结构 | ||
技术领域
本发明是有关于一种像素阵列及其掩模结构,且特别是有关于一种像素阵列的像 素排列方式及其掩模结构。
背景技术
传统上,有机发光二极管的面板制作是利用精细金属掩模(finemetalmask;FMM) 隔开不同子像素,并通过蒸镀达成红光、绿光及蓝光的排列方式。目前主要的两种像 素排列方式,一种是以红色像素、绿色像素及蓝色像素不断重复排列的条状(stripe) 排列,其每英寸像素(pixelperinch;ppi)以现有的金属掩模模式发展最高可达到 257ppi。基于现有的像素排列方式下,由于精细金属掩模(FMM)的尺寸具有一定限制, 因此,要达到增加面板的像素密度及分辨率的难度也随之增加。基于上述,如何提高 面板的像素密度及分辨率为目前积极研究的重要课题之一。
发明内容
本发明提供一种像素阵列及其掩模结构,可用以提高有机发光二极管面板的像素 密度及分辨率。
本发明的像素阵列包括基板、至少两个第一颜色子像素、至少两个第二颜色子像 素以及至少两个第三颜色子像素。所述基板包括第一区域、第二区域以及第三区域。 第一区域的长边与第三区域的长边之间的夹角为60度至120度,且第二区域的长边 与所述第三区域的长边之间的夹角为60度至120度。至少两个第一颜色子像素沿着 第一区域的长边方向而设置于第一区域中。至少两个第二颜色子像素沿着第二区域的 长边方向而设置于第二区域中。至少两个第三颜色子像素沿着第三区域的长边方向而 设置于第三区域中,其中,第一区域内的其中一个第一颜色子像素、第二区域内的其 中一个第二颜色子像素以及第三区域内的其中一个第三颜色子像素构成一像素单元。
本发明另提供一种像素阵列,包括基板、多个第一颜色子像素、多个第二颜色子 像素以及多个第三颜色子像素。所述基板具有多个第一区域、多个第二区域以及多个 第三区域,以排列成多行以及多列。每一第一区域设置有至少两个第一颜色子像素; 每一第二区域设置有至少两个第二颜色子像素;以及每一第三区域设置有至少两个第 三颜色子像素,其中,第一行的排列依序为第一区域、第二区域以及第三区域,第二 行的排列依序为第三区域、第一区域以及第二区域,第三行的排列依序为第一区域、 第二区域以及第三区域。任相邻两行之中的任三个邻接的第一区域、第二区域以及第 三区域中的其中一个第一颜色子像素、其中一个第二颜色子像素以及其中一个第三颜 色子像素构成一像素单元。
本发明另提供一种掩模结构,包括板材、第一遮蔽图案以及第二遮蔽图案。所述 板材具有多个第一区域、多个第二区域以及多个第三区域。第一区域的长边与第三区 域的长边之间的夹角为60度至120度,且第二区域的长边与第三区域的长边之间的 夹角为60度至120度。第一遮蔽图案对应第一区域设置。第二遮蔽图案对应第二区 域设置,其中所述板材的多个第三区域为一开口图案。
基于上述,本发明的像素阵列是于基板上的第一区域、第二区域以及第三区域中 分别设置了至少两个第一颜色子像素、至少两个第二颜色子像素以及至少两个第三颜 色子像素,且各区域之间的排列方式及夹角做了特殊的设计。因此,本发明可以在符 合现有精细金属掩模的限制下制作出更高像素密度(ppi)及分辨率的像素阵列。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式 作详细说明如下。
附图说明
图1A以及图1B为本发明一实施例中像素阵列的示意图。
图2为本发明一实施例中各子像素的等效电路图。
图3为本发明一实施例中第一区域的两个子像素的剖面示意图。
图4A以及图4B分别为本发明一实施例中像素阵列的列、行示意图。
图5A以及图5B为本发明一实施例中像素阵列的像素单元的排列方式的示意图。
图6为本发明另一实施例中像素阵列的示意图。
图7为本发明一实施例中掩模结构的示意图。
符号说明:
100:基板
600:板材
R1、Rb1第一区域
R2、Rb2:第二区域
R3、Rb3:第三区域
C1:第一颜色子像素
C2:第二颜色子像素
C3:第三颜色子像素
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的