[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有分立的栅极结构，栅极结构两侧的基底内形成有源漏极，其中，所述基底具有栅极互连区、以及位于相邻栅极互连区之间的桥连区，所述栅极互连区以及桥连区分别与不同的栅极结构相对应，所述基底还具有与源漏极相对应的源漏互连区，所述源漏互连区横跨若干个源漏极，且所述栅极互连区、桥连区以及源漏互连区相互独立；

在所述栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成介质层；

刻蚀位于源漏互连区上方的介质层，在所述介质层内形成位于源漏互连区上方的第一凹槽，同时刻蚀位于桥连区上方的介质层，在所述介质层内形成位于桥连区上方的第二凹槽，其中，所述第二凹槽投影于基底表面的投影图形至少铺满桥连区；

形成填充满所述第一凹槽的第零层导电层，同时形成填充满所述第二凹槽的桥连导电层，所述第零层导电层与源漏互连区内的源漏极电连接；

刻蚀位于栅极互连区上方的介质层，在所述介质层内形成位于栅极互连区上方的第三凹槽，所述第三凹槽暴露出栅极互连区的栅极结构表面，所述第三凹槽还暴露出桥连导电层侧壁表面；

形成填充满所述第三凹槽的第零层栅导电层，且相邻第零层栅导电层与所述桥连导电层侧壁相接触。

2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层包括层间介质层以及位于层间介质层表面的上层介质层，其中，所述层间介质层覆盖栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面，所述第一凹槽贯穿所述上层介质层，所述第二凹槽贯穿所述上层介质层。

3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第一凹槽和第二凹槽之前，在所述源漏互连区上方的层间介质层内形成源漏导电层，所述源漏导电层位于源漏极表面，且所述源漏导电层横跨源漏互连区内的源漏极。

4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽暴露出源漏导电层的部分或全部顶部表面。

5.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述介质层以及源漏导电层的工艺步骤包括：在所述栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及基底表面形成层间介质层；刻蚀位于源漏互连区上方的层间介质层，在所述层间介质层内形成暴露出源漏极表面的沟槽，所述沟槽横跨源漏互连区内的源漏极表面；形成填充满所述沟槽的源漏导电层；在所述源漏导电层表面以及层间介质层表面形成上层介质层。

6.如权利要求5所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽的工艺步骤包括：在所述层间介质层表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层内具有第四开口，所述第四开口图形横跨所述源漏互连区内的源漏极；以所述第三掩膜层为掩膜，沿第四开口刻蚀层间介质层直至暴露出源漏极表面，形成所述沟槽。

7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第零层导电层以及桥连导电层的工艺步骤包括：形成填充满所述第一凹槽和第二凹槽的导电膜，所述导电膜顶部高于介质层顶部；去除高于介质层顶部的导电膜，形成所述第零层导电层和桥连导电层。

8.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽和第二凹槽的工艺步骤包括：在所述介质层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有位于源漏互连区上方的第一开口，所述第一掩膜层内还具有位于桥连区上方的第二开口，所述第二开口投影于基底表面的投影图形至少铺满桥连区；以所述第一掩膜层为掩膜，沿第一开口刻蚀介质层形成所述第一凹槽，同时沿第二开口刻蚀介质层形成所述第二凹槽；去除所述第一掩膜层。

9.如权利要求8所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氮化钛或氮化钽。