[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统有效

申请号：	201510707965.9	申请日：	2015-10-27
公开（公告）号：	CN105609406B	公开（公告）日：	2018-09-28
发明（设计）人：	森谷敦;中矶直春;渡桥由悟;村上孝太郎	申请（专利权）人：	株式会社日立国际电气
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/205;H01L21/67;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/11517
代理公司：	北京市金杜律师事务所 11256	代理人：	杨宏军;王大方
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制造方法衬底处理装置气体供给系统立体闪存动态随机存储器
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件的制造方法，具有下述工序：

在第一处理气体中包含的硅不发生堆积的温度下，将对表面露出有单晶硅和绝缘膜的衬底供给包含硅和卤素的所述第一处理气体的工序和对所述衬底供给包含硅且不含卤素的第二处理气体的工序交替进行，从而使第一硅晶种层在所述单晶硅上同质外延生长，并且使晶体结构与所述第一硅晶种层不同的第二硅晶种层在所述绝缘膜上生长的工序；和

对所述衬底供给包含硅的第三处理气体，从而使第一硅膜在所述第一硅晶种层上同质外延生长，并且使晶体结构与所述第一硅膜不同的第二硅膜在所述第二硅晶种层上生长的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

使所述第一硅晶种层、和所述第二硅晶种层并行地生长，并且，

使所述第一硅膜、和所述第二硅膜并行地生长。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述衬底的表面设置有凹部，所述凹部的底部由所述单晶硅构成，所述凹部的侧部由所述绝缘膜构成。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，通过从所述凹部的侧部生长的所述第二硅膜覆盖所述第一硅膜的上部，由此使所述第一硅膜的同质外延生长停止。

5.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，通过从所述凹部的侧部生长的所述第二硅膜覆盖所述第一硅膜的上部，由此形成在所述第一硅膜上层合有所述第二硅膜而成的层合结构。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二硅膜的晶体结构为无定形、多晶体、或无定形和多晶体的混晶。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第一处理气体包含氯硅烷，所述第二处理气体包含氢化硅烷，所述第三处理气体包含氢化硅烷。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，在供给所述第三处理气体的工序中，与所述第三处理气体一起对所述衬底供给掺杂气体。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理气体具有与所述第三处理气体不同的分子结构。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，所述第二处理气体的热分解温度比所述第三处理气体的热分解温度低。