[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统

说明书

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；绝缘膜，形成于衬底的表面；第一硅膜，通过在单晶硅上以单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和第二硅膜，形成于绝缘膜上，且晶体结构与第一硅膜不同。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器(dynamic random access memory)及半导体器件。

背景技术

作为半导体器件(装置)的制造工序的一个工序，有时进行下述成膜处理，即，在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成硅膜(Si膜)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时、能够提高所形成的Si膜的膜质的技术。

根据本发明的一方案，提供一种技术，具有：

衬底，由单晶硅构成；

绝缘膜，形成于所述衬底的表面；

第一硅膜，通过在所述单晶硅上以所述单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和

第二硅膜，形成于所述绝缘膜上，且晶体结构与所述第一硅膜不同。

根据本发明，能够提高在露出有单晶Si和绝缘膜的衬底上所形成的Si膜的膜质。

附图说明

[图1]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的结构简图，是用纵截面图来表示处理炉部分的图。

[图2]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的纵型处理炉的结构简图，是用图1的A－A线截面图来表示处理炉部分的图。

[图3]是本发明的一实施方式中优选使用的衬底处理装置的控制器的结构简图，是用框图来表示控制器的控制系统的图。

[图4]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的图。

[图5](a)表示并行形成晶种步骤开始前的晶片的表面结构，(b)表示并行形成晶种步骤进行中且DCS气体供给后的晶片的表面结构，(c)表示并行形成晶种步骤进行中且DS气体供给后的晶片的表面结构，(d)表示并行形成晶种步骤结束后的晶片的表面结构，(e)表示CVD成膜步骤进行中的晶片的表面结构，(f)表示CVD成膜步骤结束后的晶片的表面结构，(g)表示退火步骤结束后的晶片的表面结构。

[图6]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的变形例1的图。

[图7]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的变形例2的图。

[图8]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的变形例3的图。

[图9]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的变形例4的图。

[图10]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的变形例5的图。

[图11]是表示本发明的一实施方式的成膜顺序中的气体供给时机的变形例6的图。

[图12](a)表示处理对象的晶片的表面结构例1，(b)表示处理对象的晶片的表面结构例2，(c)表示处理对象的晶片的表面结构例3，(d)表示处理对象的晶片的表面结构例4。