[发明专利]普通整流二极管芯片的硫化工艺在审
| 申请号： | 201510708003.5 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105390394A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王伟;申君光;张海霞;卞秋野;钱芳;任子学 | 申请（专利权）人： | 国家电网公司;国网山东省电力公司东营供电公司;国网山东利津县供电公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100031 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 普通 整流二极管 芯片 硫化 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。
2.根据权利要求1所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：所述氩气的输入流速和反应釜气体输出流速8～10L/min，输入的氩气预先预热至120℃。
3.根据权利要求1所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：以每20min降低5℃进行梯度式降温。
4.根据权利要求1所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：快速升温的最高温度为230℃，梯度式降温最低温度为100℃。
5.根据权利要求1或2所述的普通整流二极管芯片的硫化工艺，其特征在于：氩气纯度为99.99%，氩气的输入流速为8L/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
