[发明专利]普通整流二极管芯片的硫化工艺

说明书

技术领域

本发明属于普通整流二极管芯片的生产工艺领域，特别地，涉及一种普通整流二极管芯片的硫化工艺。

背景技术

采目前市场上大部分二极管芯片的端电极是由银基陶瓷制成的。金属银具有若干有利的属性，包括高电导率以及当在空气中烧制银基陶瓷时对氧化的极好免疫性。令人遗憾的是金属银也有其不足，一种这样的不足就是金属银对硫和硫的化合物相当敏感。而且，银形成不导电的硫化银，导致银基芯片出现开路。为了解决此技术难题，已经有文献提出了采用注压硫化法，注压硫化法工艺有点是比氮气硫化法成品的平整度要高，在注压过程中，加热模板所提供的热量仅仅只用于维持硫化，它能很快含硫的成分加热到190℃-220℃。在模压过程中，由加热所提供的热量首先要用于预热芯片本身携带的硫化物，由于这些硫化物，比如橡胶、胶制品的导热性能差，如果附着的硫化物很厚，热量要传导到附着的硫化物中心需要较长的时间。采用高温硫化也可在一定程度上缩短操作时间，但往往导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。

如上所述的工艺，所述氩气的输入流速和反应釜气体输出流速8～10L/min，输入的氩气预先预热至120℃。

如上所述的工艺，以每20min降低5℃进行梯度式降温。

如上所述的工艺，快速升温的最高温度为230℃，梯度式降温最低温度为100℃。

如上所述的工艺，氩气纯度为99.99%，氩气的输入流速为8L/min。

本发明可以有效的去除芯片上的硫化物，本硫化工艺，在氩气的环境里，采用了快速升温然后梯度式降温的方法，可以有效的降低导致靠近热板的附着的硫化物边缘出现焦烧，同时，不影响芯片的平整度。

具体实施方式

下面对本发明作进一步详细的描述。

一种普通整流二极管芯片的硫化工艺，采用硫化反应釜，在氩气条件下，快速升温至220℃～260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃～180℃，然后每20min以5℃～10℃梯度式降温至80℃～100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。

如上所述的工艺，所述氩气的输入流速和反应釜气体输出流速8～10L/min，输入的氩气预先预热至120℃。

如上所述的工艺，以每20min降低5℃进行梯度式降温。

如上所述的工艺，快速升温的最高温度为230℃，梯度式降温最低温度为100℃。

如上所述的工艺，氩气纯度为99.99%，氩气的输入流速为8L/min。

实施例1

采用如下温度控制方案：

快速升温至220℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃，然后每20min以5℃梯度式降温至80℃，硫化2h～3h，然后降温放料。

实施例2

采用如下温度控制方案：

快速升温至260℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃，然后每20min以5℃梯度式降温至80℃，硫化2h～3h，然后降温放料。

实施例3

采用如下温度控制方案：

快速升温至230℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至180℃，然后每20min以10℃梯度式降温至100℃，硫化2h～3h，然后降温放料。

实施例4

采用如下温度控制方案：

快速升温至240℃，硫化20min～30min，此时，采用反应釜内气体与氩气同等置换法，控制氩气的输入流速和反应釜气体输出流速，降温至150℃，然后每20min以5℃梯度式降温至80℃，硫化2h～3h，然后降温放料。

实施例5

采用如下温度控制方案：