[发明专利]制造三维集成电路的方法

权利要求书

1.一种制造三维集成电路的方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板为一耐温高之强固材料，其材料融化温度或材料玻璃转化温度大于400℃；

于该基板上形成至少一金属层以及至少一介电层；

于该金属层上形成若干个电性连接点；

切割以产生若干个封装单元，每一封装单元贴附在一切割后基板上；

反转每一封装单元并将每一反转的封装单元接合至一线路基板之一表面上以形成一整合线路板，其中该整合线路板包括一高密度接点区域以及一低密度接点区域，该高密度接点区域包括各每一反转的封装单元之一外表面的区域，该低密度接点区域包括各每一反转的封装单元未覆盖的区域；

移除各每一反转的封装单元之切割后基板；

执行一覆晶接合以将一芯片连接至这些反转的封装单元之其中一者；以及

对该线路基板执行植球以将至少一植球焊垫形成于该线路基板之另一表面上。

2.根据权利要求1所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，于该金属层上形成这些电性连接点的步骤之后进一步包括：

于这些电性连接点上形成一胶膜。

3.根据权利要求1所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该金属层包括一表面金属层以及至少一内部金属层。

4.根据权利要求1所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该介电层与该基板之间具有一预先控制的附着力。

5.根据权利要求4所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，移除各每一反转的封装单元之切割后基板的步骤中，是藉由减弱该预先控制的附着力来移除该切割后基板。

6.根据权利要求1所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该封装单元的厚度小于100微米。

7.根据权利要求1所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该线路基板为一印刷电路板、一有机基板或一高密度内连线基板。

8.根据权利要求1所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该高密度接点区域用于接合最小图形尺寸为小于50微米的接点或元件，该低密度接点区域用于接合最小图形尺寸为大于50微米的接点或元件。

9.一种制造三维集成电路的方法，其特征在于，包括：

提供一第一载板，所述第一载板为一耐温高之强固材料，其材料融化温度或材料玻璃转化温度大于400℃；

于该第一载板上形成至少一金属层以及至少一介电层；

于该金属层上形成若干个电性连接点以产生一封装单元；

反转该封装单元，并将该反转的封装单元接合至一第二载板之一表面上；

移除该第一载板，并将一增层膜贴附至该反转的封装单元上，以使该反转的封装单元嵌入于该增层膜中，且在该增层膜上执行钻孔制程并形成焊垫；以及

移除该第二载板，其中该增层膜及嵌入于该增层膜中之该反转的封装单元形成一整合线路板，该整合线路板包括一高密度接点区域以及一低密度接点区域，该高密度接点区域包括该反转的封装单元之一外表面的区域，该低密度接点区域包括该反转的封装单元之该外表面以外的区域。

10.根据权利要求9所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，于该金属层上形成这些电性连接点以产生该封装单元的步骤之后进一步包括：

于这些电性连接点上形成一胶膜。

11.根据权利要求9所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该金属层包括一表面金属层以及至少一内部金属层。

12.根据权利要求9所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，该介电层与该第一载板之间具有一预先控制的附着力。

13.根据权利要求12所述的制造三维集成电路的方法，其特征在于，移除该第一载板的步骤中，是藉由减弱该预先控制的附着力来移除该第一载板。