[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层；

在第一刻蚀阶段内，以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底，在所 述半导体衬底内形成通孔，所述通孔的深度不断增加的同时保持所述通孔的 顶部宽度始终大于掩膜层的开口宽度；

第一刻蚀阶段之后进行第二刻蚀阶段，所述第二刻蚀阶段中，通孔顶 部侧壁表面形成有稳定存在的聚合物层，在第二刻蚀阶段内，所述掩膜层的 开口逐渐增大至大于通孔的顶部开口宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一刻蚀阶 段中，所述掩膜层开口的一侧侧壁的底部与同一侧的通孔的侧壁顶部之间 的距离为底切值，所述底切值大于0um小于6um。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用博世刻 蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，所述博世刻蚀工艺包括循环进行的多个处理 周期，每个处理周期包括一个刻蚀步骤和一个沉积步骤，一个处理周期的 总时间为博世刻蚀的循环时间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一刻蚀 阶段内，所述博世刻蚀的循环时间为10s～120s，使得所述通孔的顶部宽度 始终大于掩膜层的开口宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述博世刻 蚀的第一个循环步骤后形成的底切值大于1.8um。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述博世刻 蚀的第一个处理周期中，先进行刻蚀步骤，然后进行沉积步骤。