[发明专利]一种掩膜板有效
申请号: | 201510714183.8 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105159025B | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 许卓;白雅杰;王小元;金在光;尚飞 | 申请(专利权)人: | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 400714 重庆市北碚区*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 | ||
本发明提供一种掩膜板,用于解决现有技术中掩膜板的过孔图案在曝光后形成的过孔电阻大的问题。本发明提供的掩膜板,由于掩膜板的过孔图案包括主体部分和与主体部分连接并朝向所述主体部分外侧的至少2个突出部分;突起及相邻突之间通过曝光分别形成过孔的突出部分和凹陷部分,增加了过孔的周长,扩大了过孔的边缘区域,有效的降低了过孔的电阻。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种掩膜板。
背景技术
在像素设计或者电路设计中,不同金属层2走线需要通过过孔相连接。
通常情况下,过孔采用金属层2和氧化铟锡层4跨接实现电路导通。目前使用的设计采用方形孔或者圆形孔。
如图1所示,金属层2设置在第一绝缘层1上,在第二绝缘层2设置过孔,过孔通过氧化铟锡层4进行跨接,图1中的箭头方向为电荷的移动方向,区域A为过孔区域。
图1中假设电荷从金属层2向氧化铟锡层4流动,电荷从过孔迁移到氧化铟锡层4上远离过孔的位置,会选择走电阻小的通道。电学近端5等效于过孔边缘的位置,因此,过孔边缘可以认为是电学近端5,而过孔中央即为电学远端6。由于电荷选择电阻小的通道,即选择图中的电学近端5进行迁移,而不选择电学远端6进行迁移。因此,过孔边缘区域对过孔电阻起了最大贡献。
当方形过孔和圆形过孔的过孔面积一样时,方形过孔的周长大、边缘区域大,过孔的电阻小;圆形过孔的周长小、边缘区域小,过孔的电阻大。
如图2a和图2b所示的具有方形过孔图案的掩膜板曝光前后对比图,其中,图2a为曝光前方形过孔图案,图2b为曝光后方形过孔图案,其中,曝光后呈近似圆形过孔,导致过孔的电阻较大;原因在于角位置的透光量小,角位置对应的光刻胶不能充分曝光,因而角图案无法形成。
一般通过增加角位置的透光量进行改进,例如,在角位置增加尺寸小于曝光机解像尺寸的图案,增加角位置的透光量;如图3a和图3b所示,图3a为改进的方形过孔图案的掩膜板在曝光前的图案,图3b为改进的方形过孔图案的掩膜板在曝光后的图案。
具体地,在方形过孔四个角增加方形孔来提高透光量,其中,增加方形孔尺寸在曝光机解像尺寸以下。改进后的设计相比于普通设计能够增强角图案的形成,但基本上保持了圆角方形图案不变。同样会造成过孔电阻较大。
因此,在过孔面积相同的情况下增加过孔的周长成为降低过孔电阻的关键。
发明内容
解决上述问题所采用的技术方案是一种掩膜板。
本发明提供一种掩膜板,包括过孔图案,所述过孔图案包括主体部分和与主体部分连接并朝向所述主体部分外侧的至少2个突出部分;
所述主体部分的尺寸大于曝光机解像尺寸;
所述突出部分包括尺寸大于曝光机解像尺寸的第一突出部分。
优选的,所述突出部分包括远离所述主体部分的尺寸小于曝光机解像尺寸的第二突出部分。
优选的,所述突出部分为3个或4个。
优选的,所述突出部分之间的夹角相等。
优选的,所述突出部分为3个,所述3个突出部分之间的夹角均为120°。
优选的,所述突出部分为4个,所述4个突出部分之间的夹角均为90°。
优选的,每个所述突出部分的形状和尺寸相同。
优选的,所述突出部分为等腰梯形、等腰三角形、椭圆形中的任意一种。
优选的,所述等腰梯形包括靠近所述主体部分为第一突出部分及远离所述主体部分为第二突出部分;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510714183.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自导式快关截止阀
- 下一篇:热饮杯密封垫圈
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备