[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备、与氯镓酞菁晶体及其生产方法

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其依序包括：

支承体；和

感光层，

其特征在于：所述感光层包括通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合 而获得的氯镓酞菁晶体。

2.一种电子照相感光构件，其依序包括：

支承体；

电荷产生层；和

电荷输送层，

其特征在于：所述电荷产生层包括通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液 混合而获得的氯镓酞菁晶体。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述氯镓酞菁晶体 是在CuKα的X射线衍射图案中的布拉格角2θ为7.1°±0.2°、16.5°±0.2°、25.8° ±0.2°、27.2°±0.4°、和28.2°±0.2°处具有峰的晶体。

4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中在所述氯镓酞菁晶 体内包含有机化合物。

5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶 体通过对原料氯镓酞菁晶体进行酸溶处理的步骤而获得。

6.一种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，

其特征在于：所述处理盒一体化地支承根据权利要求1-5任一项所述的 电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置、和清洁装置组 成的组的至少一种。

7.一种电子照相设备，其特征在于包括：

根据权利要求1-5任一项所述的电子照相感光构件；

充电装置；

曝光装置；

显影装置；和

转印装置。

8.一种氯镓酞菁晶体，其特征在于：是通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水 溶液混合而获得的。

9.根据权利要求8所述的氯镓酞菁晶体，其中所述羟基镓酞菁晶体通过 对原料氯镓酞菁晶体进行酸溶处理的步骤而获得。

10.根据权利要求8所述的氯镓酞菁晶体，其中所述氯镓酞菁晶体在 CuKα的X射线衍射图案中的布拉格角2θ为7.1°±0.2°、16.5°±0.2°、25.8°± 0.2°、27.2°±0.4°、和28.2°±0.2°处具有峰。

11.根据权利要求8所述的氯镓酞菁晶体，在其内包含有机化合物。

12.一种氯镓酞菁晶体的生产方法，其特征在于所述方法包括：

通过将羟基镓酞菁晶体和盐酸水溶液混合而获得氯镓酞菁晶体的盐酸 处理步骤。

13.根据权利要求12所述的氯镓酞菁晶体的生产方法，其中所述氯镓酞 菁晶体在CuKα的X射线衍射图案中的布拉格角2θ为7.1°±0.2°、16.5°±0.2°、 25.8°±0.2°、27.2°±0.4°、和28.2°±0.2°处具有峰。

14.根据权利要求12所述的氯镓酞菁晶体的生产方法，所述方法包括： 在所述盐酸处理步骤之前，通过对原料氯镓酞菁晶体进行酸溶处理而获得所 述羟基镓酞菁晶体的步骤。

15.根据权利要求12所述的氯镓酞菁晶体的生产方法，所述方法包括： 在所述盐酸处理步骤之后，将所述氯镓酞菁晶体和有机化合物混合并且进行 湿式研磨处理从而获得其内包含所述有机化合物的氯镓酞菁晶体的步骤。