[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备、与氯镓酞菁晶体及其生产方法在审

专利信息
申请号: 201510714344.3 申请日: 2015-10-28
公开(公告)号: CN105573074A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 西田孟;田中正人;川原正隆;久野纯平;渡口要;平野秀敏 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G5/06 分类号: G03G5/06;G03G21/18;C07D487/22;C09B67/50
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 照相 感光 构件 处理 设备 氯镓酞菁 晶体 及其 生产 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种电子照相感光构件、使用该电子照相感光构件的处理盒 和电子照相设备、与氯镓酞菁晶体和该氯镓酞菁晶体的生产方法。

背景技术

具有作为感光体的优异的功能的酞菁颜料用作用于电子照相感光构件、 太阳能电池、传感器、和开关元件等的材料。已知的是,不仅在其中晶形不 同的情况下,而且在其中晶体的形成过程不同的情况下,此类酞菁颜料展示 出不同的感光度特性。

日本专利特开No.2000-344778公开了一种通过对镓酞菁晶体进行酸溶 处理来生产具有高的感光度的羟基镓酞菁晶体的方法。日本专利特开No. 11-172143公开了一种通过将氯镓酞菁晶体或羟基镓酞菁晶体使用氢碘酸来 处理而获得的碘镓酞菁晶体。

发明内容

本发明提供了一种具有高的感光度的电子照相感光构件、使用所述电子 照相感光构件的处理盒和电子照相设备、与具有高的感光度的氯镓酞菁晶体 和所述氯镓酞菁晶体的生产方法。

本发明的进一步特征将参考附图从以下示例性实施方案的描述中变得 明显。

附图说明

图1表明实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的X射线衍射图案。

图2表明实施例1-1中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。

图3表明实施例1-6中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。

图4表明实施例1-9中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。

图5表明实施例1-12中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。

图6表明实施例1-13中获得的氯镓酞菁晶体的X射线衍射图案。

图7是描述电子照相感光构件的感光度的评价的图。

图8表明包括包含电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示例性 结构的实例。

图9A和9B表明电子照相感光构件的层结构的实例。

具体实施方式

酞菁颜料具有作为感光体的优异功能,但在一些用途中,随着日益增加 的市场需求,已经需要更高的感光度。特别地,在此类酞菁颜料中,氯镓酞 菁晶体例如用作电子照相感光构件的电荷产生物质。然而,随着近期电子照 相设备的高速化的实现(高速处理),酞菁颜料需要具有与从前相比更高的感 光度。

因此,本发明提供了一种具有高的感光度的氯镓酞菁晶体和所述氯镓酞 菁晶体的生产方法、使用所述氯镓酞菁晶体的电子照相感光构件、以及使用 所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。

在本发明的实施方案中,氯镓酞菁晶体通过将羟基镓酞菁晶体与盐酸水 溶液混合而获得。可以通过研磨处理或搅拌处理来进行该混合。

作为由本发明人对通过以上特定的生产方法生产的氯镓酞菁晶体进行 的研究的结果,已经发现的是,这样的氯镓酞菁晶体具有作为感光体的优异 功能并且可用作电子照相感光构件、太阳能电池、传感器、和开关元件等的 材料。特别地已经发现的是,当氯镓酞菁晶体用作电子照相感光构件的材料 时,氯镓酞菁晶体具有实现电子照相感光构件的高的感光度的吸收特性。

本发明人已经研究了具有高的感光度的氯镓酞菁晶体通过特定的生产 方法来获得的原因。因此,例如X射线衍射等的用于鉴别晶形的典型使用的 分析方法有时也没有区分上述氯镓酞菁晶体和公知的氯镓酞菁晶体。然而, 在通过特定的生产方法生产的氯镓酞菁晶体与通过除了该特定的生产方法 以外的方法生产的氯镓酞菁晶体之间在感光度方面存在明显的差别。例如, 在CuKα的X射线衍射中于相同位置处具有峰的氯镓酞菁晶体中,通过特定的 生产方法生产的氯镓酞菁晶体具有与通过除了该特定的生产方法以外的方 法生产的氯镓酞菁晶体相比较高的感光度。虽然这原因依然不清楚,但本发 明人推测:在通过特定的生产方法生产的氯镓酞菁晶体中,趋于产生载流子 (carrier)的J聚集体和趋于使产生的载流子流动的H聚集体以由晶体产生的载 流子的量增加的这样的期望状态形成了晶体(当前没有用于验证该现象的特 殊方法)。

根据本发明实施方案的氯镓酞菁晶体,即,通过将羟基镓酞菁晶体和盐 酸水溶液混合而获得的氯镓酞菁晶体是例如在CuKα的X射线衍射图案中的 布拉格角2θ为7.1°±0.2°、16.5°±0.2°、25.8°±0.2°、27.2°±0.4°和28.2°±0.2° 处具有峰的氯镓酞菁晶体。在本发明的实施方案中,酞菁晶体的X射线衍射 在以下条件下通过粉末X射线衍射仪来测量。

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