[发明专利]一种多晶硅设备的化学络合清洗方法

权利要求书

1.一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，包括以下操作：

1)对待清洗的多晶硅设备进行去除表面附着物或杂质的预处理，然后向多晶硅设备中注入水进行试漏检测；

2)待多晶硅设备无漏水后，采用高效脱脂剂对设备表面进行脱脂处理，所述的脱脂清洗剂为非离子表面活性剂；脱脂处理结束后排出脱脂清洗剂；脱脂处理后的设备立即进行水冲洗，冲洗至流出水的pH值中性为准；

3)水冲洗结束后，采用络合除锈剂以浸泡清洗、循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行络合除锈清洗，所述的络合除锈为络合除锈剂溶解于35℃～45℃的水中，pH值为1～4；络合除锈清洗过程中在供给络合除锈剂的清洗循环槽中设置标准同材质标准试片进行监测，至流出液铁离子总量稳定时结束清洗；络合除锈清洗结束后排出络合除锈剂，用水冲洗至水清；

4)水冲洗结束后，采用漂洗剂以循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行漂洗，所述的漂洗剂为弱酸溶液，其pH值为3.5～4.0，温度为45～60℃，漂洗1～3h；

5)漂洗结束后排出漂洗剂，然后用温度为30～35℃、pH值为8～9的氨水进行氨塞处理，时间为0.2～1.5h；

6)氨塞处理结束立即投加钝化剂对设备表面进行钝化处理，钝化结束后排出钝化剂，用水冲洗至水清；

7)将设备用无油无尘的洁净空气强力吹干，封闭并充氮保护。

2.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的预处理为拉擦或喷砂处理，清除至表面无明显附着物、杂物及锈迹；

在之后的每道工序清洗前进行正、反循环十分钟，排净空气，然后进行清洗作业。

3.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为0.3～0.6％，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，所述的螯合剂为有机膦，脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的质量比为(2～8)：(0.5～1)：(0.5～1)；非离子表面活性剂于35～45℃、pH值9～11的条件下进行脱脂。

4.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂，其中EDTA钠盐所占的质量分数为60～80％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为(8～10)：(2～4)：(0.2～1)；所述的有机酸为柠檬酸或氨基磺酸，所述的保护剂为有机胺盐化合物；络合除锈剂添加的质量分数为1～5％。

5.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的漂洗剂为柠檬酸溶液，用氨水调pH值为3.5～4。

6.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，氨塞处理结束后用钝化剂对设备表面进行钝化处理，所述的钝化剂采用金属表面钝化剂，在温度为60～70℃、pH值为10～11的条件下钝化，钝化处理时间为8～16h；或者钝化剂采用表面成膜剂，在常温下、pH值为9～11的条件下钝化；

或者，漂洗处理结束后再加氨水使pH值为9.5～9.8，然后以氧化剂作为钝化剂进行钝化，在温度38～42℃下处理6～8h，所述的氧化剂为过氧化物或高锰酸钾。

7.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的多晶硅设备为管材、阀门时，所述的预处理清除至表面无锈迹；所述的脱脂处理分为粗脱脂处理和精脱脂处理来进行，其中粗脱脂处理采用有机溶剂进行处理，精脱脂处理采用非离子表面活性剂进行处理；所述的络合除锈清洗时，碳钢腐蚀率K≤5g/㎡·h，腐蚀总量＜60g/㎡；所述的漂洗时要求冲洗后铁离子含量不超过300mg/L，不锈钢≤2g/㎡·h，腐蚀总量＜20g/㎡。

8.如权利要求1所述的多晶硅设备的化学络合清洗方法，其特征在于，所述的多晶硅设备为换热器、塔类或罐类时，所述的预处理清除至表面无锈迹、杂物及重油；所述的脱脂处理分为粗脱脂处理和精脱脂处理来进行，其中粗脱脂处理采用有机溶剂进行处理，精脱脂处理采用非离子表面活性剂进行处理；所述的络合除锈清洗时，每小时检测一次铁离子和pH值，控制腐蚀速率；所述的漂洗结束后检测温度、pH值和总Fe量。