[发明专利]一种多晶硅设备的化学络合清洗方法

说明书

技术领域

本发明属于多晶硅清洗技术领域，涉及一种多晶硅设备的化学络合清洗方。

背景技术

作为生产太阳能发电板和电子元件的基础材料多晶硅产品，近年来可谓大起大落。经过多年的发展，多晶硅产品和组件市场逐渐平稳回升。多晶硅生产过程中对设备的洁净度要求极其严格，尤其是油分子和重金属离子，太阳能级的多晶硅纯度要求9个9％，电子级更是达到11个9％，在庞大的设备系统中，哪怕几个PPM的油分子都会造成无法出产品的严重后果。因此，多晶硅设备的开车前清洗技术多年以来，代表着工业清洗行业的最高水平。

多晶硅设备投产前的清洗，不仅仅是代表清洗技术的高低，关键是对清洗企业的综合实力体现，不仅对清洗技术的苛刻要求，重要的是对清洗现场的管理能力。清洗工艺流程，清洗剂，清洗后的保护，再到安装公司对储罐和设备的安装，都对最后多晶硅产品有着很大的影响。多晶硅设备中的储罐清洗，有着非常高的洁净度要求，比如清洗脱脂后，用去离子的纯水进行冲洗储罐表面其他离子，然后需要对储罐用无油，无水，无尘的三无压缩空气进行干燥处理，最后成品保护处理。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，能够实现大规模作业，满足多晶硅设备清洗的高要求，有利于缩短多晶硅设备清洗的时间，缩短了电子级多晶硅的产出时间。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种多晶硅设备的化学络合清洗方法，包括以下操作：

1)对待清洗的多晶硅设备进行去除表面附着物或杂质的预处理，然后向多晶硅设备中注入水进行试漏检测；

2)待多晶硅设备无漏水后，采用高效脱脂剂对设备表面进行脱脂处理，所述的脱脂清洗剂为非离子表面活性剂；脱脂处理结束后排出脱脂清洗剂；脱脂处理后的设备立即进行水冲洗，冲洗至流出水的pH值中性为准；

3)水冲洗结束后，采用络合除锈剂以浸泡清洗、循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行络合除锈清洗，所述的络合除锈为络合除锈剂溶解于35℃～45℃的水中，pH值为1～4；络合除锈清洗过程中在供给络合除锈剂的清洗循环槽中设置标准同材质标准试片进行监测，至流出液铁离子总量稳定时结束清洗；络合除锈清洗结束后排出络合除锈剂，用水冲洗至水清；

4)水冲洗结束后，采用漂洗剂以循环清洗或喷淋清洗的方式对设备进行漂洗，所述的漂洗剂为弱酸溶液，其pH值为3.5～4.0，温度为45～60℃，漂洗1～3h；

5)漂洗结束后排出漂洗剂，然后用温度为30～35℃、pH值为8～9的氨水进行氨塞处理，时间为0.2～1.5h；

6)氨塞处理结束立即投加钝化剂对设备表面进行钝化处理，钝化结束后排出钝化剂，用水冲洗至水清；

7)将设备用无油无尘的洁净空气强力吹干，封闭并充氮保护。

所述的预处理为拉擦或喷砂处理，清除至表面无明显附着物、杂物及锈迹；

在之后的每道工序清洗前进行正、反循环十分钟，排净空气，然后进行清洗作业。

所述的非离子表面活性剂是脂肪醇聚氧乙烯醚与与螯合剂、分散剂的混合物的溶液，其中脂肪醇聚氧乙烯醚所占的质量分数为0.3～0.6％，所述的分散剂为脂肪酸类的分散剂，所述的螯合剂为有机膦，脂肪醇聚氧乙烯醚与螯合剂、分散剂的质量比为(2～8)：(0.5～1)：(0.5～1)；非离子表面活性剂于35～45℃、pH值9～11的条件下进行脱脂。

所述的络合除锈剂包括EDTA钠盐、有机酸并添加保护剂，其中EDTA钠盐所占的质量分数为60～80％，EDTA钠盐：有机酸：保护剂的质量比为(8～10)：(2～4)：(0.2～1)；所述的有机酸为柠檬酸或氨基磺酸，所述的保护剂为有机胺盐化合物；络合除锈剂添加的质量分数为1～5％。

所述的漂洗剂为柠檬酸溶液，用氨水调pH值为3.5～4。

氨塞处理结束后用钝化剂对设备表面进行钝化处理，所述的钝化剂采用金属表面钝化剂，在温度为60～70℃、pH值为10～11的条件下钝化，钝化处理时间为8～16h；或者钝化剂采用表面成膜剂，在常温下、pH值为9～11的条件下钝化；

或者，漂洗处理结束后再加氨水使pH值为9.5～9.8，然后以氧化剂作为钝化剂进行钝化，在温度38～42℃下处理6～8h，所述的氧化剂为过氧化物或高锰酸钾。