[发明专利]半导体器件的横向变掺杂结终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，包括步骤：

提供第一导电类型的衬底；

在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜，露出位于主结和截止环之间的多个场限环离子注入窗口；各个注入窗口的宽度和间距沿截止环指向主结的方向逐渐增大，注入窗口的宽度为沿截止环指向主结的方向的等差数列；

通过所述掩膜进行场限环离子注入，注入第二导电类型的离子；

进行热扩散，使通过所述掩膜注入的离子形成多个彼此交叠的场限环，这些场限环组成注入离子浓度呈线性变化的横向变掺杂结。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，其特征在于，所述掩膜为二氧化硅材质的场限环掩膜，所述在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜的步骤，是在热生长场氧化层并经光刻和刻蚀后作为所述场限环掩膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，其特征在于，所述掩膜为光刻胶，所述在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜的步骤之前，还包括预氧化生长注入缓冲层的步骤，所述进行热扩散的步骤之后还包括生长场氧化层的步骤。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，其特征在于，所述预氧化生长注入缓冲层的步骤是生长厚度为400埃～500埃的氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，其特征在于，所述通过掩膜进行场限环离子注入的步骤中，注入的剂量为1E12cm^-2～5E12cm^-2，注入的能量为60kev～100kev；所述进行热扩散的步骤中，扩散温度为1100℃～1150℃，扩散时间为90分钟～200分钟。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，其特征在于，所述在衬底表面形成场限环离子注入的掩膜的步骤中，各个注入窗口的间距为4微米～10微米。

7.根据权利要求2所述的半导体器件的横向变掺杂结终端结构的制造方法，其特征在于，所述方法还包括形成场板结构的步骤，所述场板结构包括多晶硅场板，所述多晶硅场板一端位于所述场限环和截止环表面，另一端搭接在与所述场限环和截止环相邻的场氧化层上。