[发明专利]一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法在审
申请号: | 201510717887.0 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105350068A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 卞振锋;刘龙飞;李雅丽;曹锋雷;李和兴 | 申请(专利权)人: | 上海师范大学 |
主分类号: | C30B7/14 | 分类号: | C30B7/14;C30B29/16;C23C18/12 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 王小荣 |
地址: | 200234 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 tio sub 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,该方法主要是通过高温结晶来制备多孔单晶TiO2薄膜,具体包括以下步骤:
(1)将钛基前驱体、铵盐、表面活性剂加入到去离子水中,常温下,搅拌混合均匀,制得前驱体混合溶液;
(2)采用提拉浸渍法将前驱体混合溶液镀到基底上,后经高温焙烧结晶,冷却,即制得所述的多孔单晶TiO2薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的钛基前驱体与铵盐、表面活性剂及去离子水的摩尔比为1:0.5-50:0-500:30-5000。
3.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的钛基前驱体包括四氟化钛、氟钛酸铵、四氯化钛或钛酸四丁酯中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的铵盐包括硝酸铵、氟化铵、氯化铵、硫酸铵或硫酸氢铵中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的表面活性剂选自市售的P123、CTAB、F127或PVA5000中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的提拉浸渍法的处理条件为:控制基底走速为0.001-100cm/s。
7.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的基底为金属基底或玻璃基底。
8.根据权利要求1所述的一种多孔单晶TiO2薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述的高温焙烧结晶的条件为:以2-8℃/min升温至400-600℃,进行焙烧结晶,时间为0.1-100h。
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