[发明专利]改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器

权利要求书

1.一种改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，包括：

第一导电类型的半导体层；

植入在该半导体层顶部的第二导电类型的光电二极管的第一掺杂区；

植入在第一掺杂区周边边缘处的一个闭合环形的第二导电类型的第二掺杂区。

2.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，包括一个形成在光电二极管第一掺杂区上方的第一导电类型的钉扎层。

3.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，掺杂形成光电二极管的第二掺杂区的离子注入能量比掺杂形成光电二极管的第一掺杂区的离子注入能量要低。

4.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，其中光电二极管的第二掺杂区的离子掺杂浓度和光电二极管的第一掺杂区的离子掺杂浓度相同。

5.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，第二掺杂区植入在第一掺杂区的顶部的周边边缘处，并且第二掺杂区的植入深度低于第一掺杂区的植入深度。

6.根据权利要求5所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，第二掺杂区植入在第一掺杂区顶部的区域呈现出“回”字的形状。

7.根据权利要求5所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，形成在光电二极管的第一掺杂区上方的第一导电类型的钉扎层的掺杂深度，比第一掺杂区顶部的第二掺杂区的掺杂深度要浅。

8.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，其中在第二掺杂区的上表面位置处的最高表面电场的电场强度范围，比第一掺杂区的未植入第二掺杂区的上表面位置处的最高表面电场的电场强度范围大。

9.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，第一导电类型为P导电类型而第二导电类型为N导电类型。

10.根据权利要求1所述的改善像素单元满阱容量的CMOS图像传感器，其特征在于，该CMOS图像传感器为背照式或前照式CMOS图像传感器。