[发明专利]一种可改善涂布覆盖不良的光刻胶瓶

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，更具体地，涉及一种可改善涂布覆盖不良的新型光刻胶瓶。

背景技术

在半导体制造技术中，光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。光刻使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光，在硅片表面形成三维图形。光刻技术要应用到光敏光刻胶或光刻胶，它们作为一种聚合可溶解物被涂在衬底表面并图形化，然后经过刻蚀或离子注入后被去掉。硅片上光刻胶的厚度和均匀性是非常关键的质量参数。

在半导体制造产业中，造成光刻胶涂布异常有很多因素，大部分是因机台发生故障导致，而其中一种因素却是因光刻胶瓶构造问题所导致，并经常发生，且不能通过机台维护解决。

请参阅图1，图1是现有的一种光刻胶瓶结构示意图。如图1所示，目前光刻胶瓶的结构大都使用NOWPak包装方式，即分为内、外两层。其中，外层是带有接口5的光刻胶瓶身1，内层为软性内囊2形式，囊内装着光刻胶3，光刻胶3与外界空气和瓶身1不接触。一氮气管6从接口5处通入瓶身1和内囊2之间，一光刻胶导管4从接口5处插入内囊2中至其底部，光刻胶导管4上端接有软管7。瓶内密封，通过氮气管6通入高压的氮气挤压内囊2，使光刻胶3从光刻胶导管4中挤出，经软管7导入机台。请参阅图2，图2是图1中光刻胶导管的局部结构放大示意图。如图2所示，光刻胶导管4的下端呈锥形8，在其锥形侧面设有光刻胶出口9。

在光刻胶使用过程中，内囊2在囊外氮气的压迫及囊内光刻胶导管出口9的抽吸作用下，经常会堵塞光刻胶导管4下端的光刻胶出口9，这将影响后续光刻胶管路的压力，造成管路中大量气泡开始产生，严重时会造成涂布过程中因光刻胶的喷涂量不足而形成涂布异常。这种情况在光刻胶快用完时，更容易发生。如图3所示，在光刻胶快用完时，内囊2逐渐贴紧光刻胶导管4，不但囊内上方的光刻胶3难以顺畅地向光刻胶导管4下端的光刻胶出口9流动，而且更容易堵塞光刻胶出口9。

因此，有必要对现有的光刻胶瓶结构进行优化改进，以便改善容易发生涂布覆盖不良的问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种可改善涂布覆盖不良的光刻胶瓶，可解决光刻胶瓶中内囊堵塞光刻胶出口问题，从而解决因此问题而导致的气泡和涂布异常现象。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种可改善涂布覆盖不良的光刻胶瓶，包括密封的内、外两层，外层为带有接口的光刻胶瓶身，内层为软性内囊，用于容纳光刻胶，一氮气管从接口通入瓶身和内囊之间，一光刻胶导管从接口处插入内囊中，所述瓶身内底部固设有一凹槽形凸起结构，所述内囊下端具有一与所述凸起结构的凹槽侧壁对应的开口，并通过所述开口与凹槽侧壁密封连接，所述光刻胶导管下端伸入所述凸起结构的凹槽内。

优选地，所述光刻胶导管下端设有内凹的光刻胶出口。

优选地，所述光刻胶导管下端侧壁设有若干光刻胶进口，并在侧壁内略高于所述光刻胶进口位置设有光刻胶出口。

优选地，所述光刻胶进口为孔形或向下开口的槽形。

优选地，所述光刻胶进口环绕所述光刻胶导管下端侧壁均匀设置。

优选地，所述光刻胶进口的数量为4～8个，环绕所述光刻胶导管下端侧壁对称设置。

优选地，所述光刻胶导管下端与瓶身内底部凸起结构的凹槽底部靠近或相接触。

优选地，所述光刻胶进口的位置低于瓶身内底部凸起结构的凹槽上端。

优选地，所述内囊下端开口与瓶身内底部凸起结构的凹槽外侧壁密封连接。

优选地，所述光刻胶导管下端设有支脚。

从上述技术方案可以看出，本发明通过在光刻胶瓶身内底部设置凹槽形凸起结构，将内囊下端与凸起结构的凹槽侧壁密封连接，并将光刻胶导管下端伸入凹槽内，使内囊在受压时，无法接触到导管下端的光刻胶出口造成其堵塞，从而避免了因此问题而导致的气泡和涂布异常现象。

附图说明

图1是现有的一种光刻胶瓶结构示意图；

图2是图1中光刻胶导管的局部结构放大示意图；

图3是图1中的光刻胶瓶在光刻胶快用完时的使用状态示意图；

图4是本发明一较佳实施例的一种可改善涂布覆盖不良的光刻胶瓶结构示意图；

图5是图4中光刻胶导管下端的第一种局部结构放大示意图；

图6是图4中光刻胶导管下端的第二种局部结构放大示意图；

图7是图4中光刻胶导管下端的第三种局部结构放大示意图；

图8是图4中凸起结构的放大示意图。

具体实施方式