[发明专利]一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法

权利要求书

1.一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述制备碳化硅粉的方法以多晶硅切割废料为原料，经过湿法浸出除铁后配入碳粉，然后进行低温度的烧结处理，制备得到碳化硅粉,所述碳化硅粉的成分为α-SiC和β-SiC。

2.根据权利要求1所述一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述多晶硅切割废料的成分包括Si、α-SiC以及铁的氧化物。

3.根据权利要求1所述一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述制备碳化硅粉的方法包括湿法浸出除铁、配加碳粉、添加粘结剂及烧结步骤。

4.根据权利要求3所述一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述制备碳化硅粉的方法具体是：以多晶硅切割废料为原料，将所述多晶硅切割废料研磨过筛后加入浸出溶液进行湿法浸出除铁，经过抽滤、清洗及干燥获得除铁后多晶硅废料，在所述除铁后多晶硅废料中配加碳粉并研磨混匀，然后添加粘结剂并压块成型，在高温炉中，氩气气氛中反应烧结，制备获得所述碳化硅粉。

5.根据权利要求4所述一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述制备碳化硅粉的方法具体步骤包括：

（1）湿法浸出除铁：首先配置浸出溶液，将所述多晶硅切割废料与所述浸出溶液按照1:4-1:8的料液比混合，然后进行湿法浸出除铁，浸出2-4h后抽滤，将抽滤后获得的滤渣用去离子水清洗，并将清洗后所述滤渣置于干燥箱中干燥，获得除铁后多晶硅废料；

（2）配加碳粉：在步骤（1）获得的所述除铁后多晶硅废料中配入碳粉，研磨均匀后放入干燥箱中烘干，获得所述除铁后多晶硅废料与碳粉的混合物；

（3）添加粘结剂：往步骤（2）获得的所述混合物中加入粘结剂，所述粘结剂包括聚乙烯醇，所述粘结剂中所述聚乙烯醇的质量分数为3%-5%；然后在6MP的压力下压块成型，形成块体；

（4）烧结步骤：将步骤（3）形成的所述块体放入高温炉中进行烧结，保护气氛为氩气，反应温度为1400-1600℃，反应时间为1-5h。

6.根据权利要求5所述一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，所述湿法浸出除铁的步骤去除所述多晶硅切割废料中铁的氧化物组分，所述湿法浸出除铁的步骤中使用的所述浸出溶液为盐酸溶液或者硫酸溶液；所述盐酸溶液的浓度为10-40%，所述硫酸溶液的浓度为10-30%。

7.根据权利要求5所述一种利用多晶硅切割废料制备碳化硅粉的方法，其特征在于，步骤（2）配加碳粉中，配入的所述碳粉为活性炭或石墨。