[发明专利]一种镭射盲钻加工方法在审

专利信息
申请号: 201510728063.3 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN105263266A 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 黄继茂;付小辉;王庆军 申请(专利权)人: 江苏博敏电子有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 王爱伟
地址: 224100 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 镭射 加工 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种盲孔加工方法,尤其涉及一种镭射盲钻加工方法。

背景技术

现有的盲孔加工多采用机械盲孔加工方法加工,现有的机械盲孔加工设备原理:在每个主轴上安装了控深装置,使主轴下钻时钻针接触到板面开始计算,达到控制深度的效果,这种加工方法控深装置精度不稳定,导致盲孔未钻透造成层与层间不导通,形成开路报废;现有机械加工方法也容易导致控深装置被污染从而导致深度感应异常,出现感应迟钝导致加工时盲孔深度过深造成多层次导通,从而形成短路报废;现有的机械盲钻加工方法浪费材料和人力资源,同时也影响工作效率,也会严重影响钻头的使用寿命。

发明内容

本发明目的是:克服现有技术存在的不足,提供一种镭射盲钻加工方法。

本发明的技术方案是:一种镭射盲钻加工方法,其特征在于:将普通镭射的加工方式改为螺旋切割方式,以控制孔径达到要求规格,所述螺旋切割是利用无数小孔呈螺旋状分布,组成一个需要的孔径,再设定小孔密度分布百分比,可以保证孔的外观不会变形;按照产品设计提供的叠构,调整镭射机能量参数,第一发强能量击穿线路板表铜,后两次发弱能量将PP介层切削干净,弱能量只能对PP有破坏性,不会伤及到下底铜。

镭射机加工机械盲孔时,首次加工需要在参数表内将加工方式更改螺旋切割、键入规格孔径、输入小孔的密度分布百分比、激光能量,即可加工,将加工参数存储到设备,以后加工相同规格时,可以直接读取机械盲钻参数;如生产HDI(高密度互连)类产品,直接读取设备内存储的HDI(高密度互连)加工参数,即可加工。

优选的,所述规格孔径具体为0.25mm。

优选的,所述小孔的密度分布百分比为85%。

优选的,所述激光能量为puls=4.0,power=3.76mj。

本发明的优点:

1、拓展了镭射机加工产品的种类,实现了镭射机加工HDI产品和代替机械盲钻两用的功能。

2、解决了传统设备控深能力不足而导致产品报废;

3、使用改良后技术,机械盲孔深度一致,良率达到100%;

4、镭射钻孔机的对位精度可以控制在20um以内,而传统钻孔机精度在50um以内;

5、改良因机械盲钻钻孔过深,导致防焊假性露铜的问题。

6、节约材料和人力,提高工作效率和经济效益。

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:

图1为传统的盲孔加工情况示意图。

图2为本发明所公开的镭射盲钻加工情况示意图。

图3为本发明所公开的镭射盲孔钻加工时螺旋切割时小孔分布示意图。

其中1、第一层线路2、第二层线路3、第三层线路4、第四层线路5、PP介层6、小孔

具体实施方式

下面结合附图及优选实施方式对本发明技术方案进行详细说明。

如图1所示,传统的盲孔加工方法精度不稳定,导致盲孔未钻透造成层与层间不导通,形成开路报废;或者导致控深装置被污染从而导致深度感应异常,出现感应迟钝导致加工时盲孔深度过深造成多层次导通,从而形成短路报废。

如图2所示,本发明所公开的一种镭射盲钻加工方法,其将普通镭射的加工方式改为螺旋切割方式,以控制孔径达到要求规格,所述螺旋切割是利用无数小孔呈螺旋状分布,组成一个需要的孔径,再设定小孔密度分布百分比,可以保证孔的外观不会变形,镭射钻孔机的对位精度可以控制在20um以内,而传统钻孔机精度在50um以内。按照产品设计提供的叠构,调整镭射机能量参数,第一发强能量击穿线路板表铜,后两次发弱能量将PP介层切削干净,弱能量只能对PP有破坏性,不会伤及到下底铜。解决了传统设备控深能力不足而导致产品报废;使用改良后技术,机械盲孔深度一致,良率达到100%;改良因机械盲钻钻孔过深,导致防焊假性露铜的问题。

镭射机加工机械盲孔时,首次加工需要在参数表内将加工方式更改螺旋切割、键入规格孔径,具体数值0.25mm、输入小孔6的密度分布百分比85%、激光能量具体数值puls=4.0,power=3.76mj,即可加工,加工后测量镭射钻孔机的对位精度在20um以内。将加工参数存储到设备,以后加工相同规格时,可以直接读取机械盲钻参数;如生产HDI(高密度互连)类产品,直接读取设备内存储的HDI(高密度互连)加工参数,即可加工。本发明的加工方法可以节约材料和人力,提高工作效率和经济效益。

本发明尚有多种实施方式,凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

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