[发明专利]电路基板及其制造方法

说明书

本发明提供在制造电路基板时，可以在含有无机填充材料的绝缘层上形成具有良好的通孔形状、内部沾污量少的小直径的通孔的技术。电路基板，其是含有绝缘层的电路基板，所述绝缘层形成有开口直径为15μm以下的通孔，其中，绝缘层的表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，绝缘层含有无机填充材料，该绝缘层的在与绝缘层的表面垂直的方向上的截面中，宽度15μm的区域中所含的粒径3μm以上的无机填充材料的平均数为1.0以下。

技术领域

本发明涉及电路基板及其制造方法。

背景技术

在各种电子器件中广泛使用的电路基板由于电子器件的小型化、高功能化而被要求电路布线的微细化、高密度化。作为电路基板的制造技术，已知利用了在内层基板上交替重叠绝缘层和导体层的堆叠(ビルドアップ)方式的制造方法。在利用了堆叠方式的制造方法中，绝缘层例如通过使用含有支撑体和设置于该支撑体上的树脂组合物层的粘接薄膜等而将树脂组合物层在内层基板上层叠、并使树脂组合物层热固化来形成。接着，利用激光在形成的绝缘层上进行开孔加工，形成通孔，进行除污(desmear)处理，由此同时进行通孔内部的树脂残渣(沾污, smear)的除去和绝缘层表面的粗糙化(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

[专利文献1]日本特开2008-37957号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在实现电路布线的进一步高密度化时，期望通孔的小直径化。通孔一般通过利用了激光的开孔加工来形成，作为激光，目前主要使用穿孔速度高、在制造成本方面有利的二氧化碳激光。然而，在通孔的小直径化方面有限制，例如利用二氧化碳激光形成开口直径25μm以下的通孔是困难的状況。

作为可在通孔的形成中使用的激光，除了二氧化碳激光以外，还可列举准分子激光(Excited Dimer Laser的简称)。准分子激光不太用于通孔的形成，但通常可得到强的紫外区域的激光，因而与二氧化碳激光等红外线激光不同，不产生热。因此，可进行更微细的加工，可期待有助于通孔的小直径化。

另一方面，为了对应于高速信号传送，绝缘层的低介电常数化在推进，在绝缘层中含有无机填充材料是合适的。

本发明人等尝试了通过准分子激光在含有无机填充材料的绝缘层中形成小直径的通孔。其结果是发现有激光加工性降低，通孔的形状(也简称为“通孔形状”)劣化、或通孔内部的沾污量增大的情况。特别地，在为了实现介电常数低的绝缘层，而提高绝缘层中的无机填充材料含量的情况下存在大的问题。另外，发现利用准分子激光形成通孔的绝缘层的算术平均粗糙度(Ra)的值高的情况下也具有同样的问题。通孔形状的劣化导致导通可靠性的降低，另外通孔内部的沾污量的增大使在严格的条件下进行除污处理成为必要，形成电路布线的微细化的障碍。

本发明的课题在于提供在制造电路基板时，在含有无机填充材料的绝缘层中可形成具有良好的通孔形状、内部沾污量少的小直径的通孔的技术。

解决课题用的手段

本发明包含以下的内容：

[1] 电路基板，其是含有绝缘层的电路基板，所述绝缘层形成有开口直径为15μm以下的通孔，其中，

绝缘层的表面的算术平均粗糙度(Ra)为150nm以下，

绝缘层含有无机填充材料，该绝缘层的在与绝缘层的表面垂直的方向上的截面中，宽度15μm的区域中所含的粒径3μm以上的无机填充材料的平均数为1.0以下；

[2] 根据[1]所述的电路基板，其中，绝缘层的表面的Ra为100nm以下；

[3] 根据[1]或[2]所述的电路基板，其中，通孔的开口直径为12μm以下；