[发明专利]一种纳米多孔硅电极材料的制备工艺

权利要求书

1.一种纳米多孔硅电极材料的制备工艺，包括如下步骤：

(a)将按重量计20～30份的稻壳用水洗净，并在100～105℃下干燥，得到干燥稻壳；

(b)将干燥稻壳放入容器中并加入按重量计400～500份的混合酸溶液，然后将容器置于超声波清洗器中，超声波清洗器功率250W，频率25kHz，超声振荡30～45分钟后过滤并将稻壳水洗至中性，然后在100～105℃干燥，得到酸处理稻壳，所述混合酸溶液中按重量百分比含有4～5％柠檬酸和5～6％的酒石酸；

(c)将酸处理稻壳加入管式炉中，以每分钟20～25毫升的流量通入混合气体，并以每分钟5℃的速率进行升温，升温至550℃后恒温反应2小时得到纳米二氧化硅，所述混合气体由氧气和氮气按体积比9∶1组成；

(d)将纳米二氧化硅与等重量的镁粉混合均匀后密封于铁质反应釜内，以每分钟5℃的速率升温至600℃后恒温反应2小时，然后冷却至室温后用盐酸处理去除氧化镁，再用氢氟酸处理去除未反应的纳米二氧化硅，水洗至中性后真空干燥得到纳米多孔硅电极材料。

2.根据权利要求1所述的纳米多孔硅电极材料的制备工艺，其特征在于，步骤(d)所用的盐酸物质的量浓度为1mol·L^-1，氢氟酸的质量百分比浓度为5％。