[发明专利]半导体光学感测器有效
申请号: | 201510736117.0 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN105575985B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 刘汉鼎 | 申请(专利权)人: | 光澄科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 光学 感测器 | ||
1.一种半导体光学感测器,包含多个感测单元,用来感测一入射光信号以产生一电信号,其特征在于,每一感测单元包含:
一基板,具有一第一表面与该第一表面相对的一第二表面;
一感光元件,其材料与该基板的材料不同,用来将该入射光信号转换为该电信号;
一透镜,其形成于该基板的该第一表面上且材料包含与该基板相同的材料,用来改变该入射光信号的传输路径,以将该入射光信号导向该感光元件;以及
一光屏蔽元件,形成于该基板的该第二表面上且围绕该感光元件,用来改变该入射光信号经过该透镜后的传输路径或传输距离,以避免该入射光信号到达该感测单元的一相邻感测单元的感光元件;
其中该入射光经由该透镜及该基板直接进入该感光元件。
2.根据权利要求1所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光屏蔽元件包含:
一光局限元件,位于该感光元件的侧面,并且与该感光元件位于同一平面;以及
一光反射元件,位于该感光元件的上方。
3.根据权利要求2所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光局限元件的材料与该感光元件相同。
4.根据权利要求3所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光局限元件与该感光元件以同一半导体工艺步骤完成,且两者的厚度相同。
5.根据权利要求2所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光局限元件以导电性材料制成,并与该感光元件电连接,以作为该感测单元的电极。
6.根据权利要求2所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光反射元件以导电性材料制成,并与该感光元件电连接,以作为该感测单元的电极。
7.根据权利要求2所述的半导体光学感测器,其特征在于,该感光元件位该基板相对于该透镜的另一侧的表面,且该光局限元件制作于该基板与该感光元件同侧的表面。
8.根据权利要求1所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光屏蔽元件以导电性材料制成,并与该感光元件电连接,以作为该感测单元的电极。
9.根据权利要求1所述的半导体光学感测器,其特征在于,该基板的材料的能隙大于该感光元件的材料的能隙。
10.根据权利要求1所述的半导体光学感测器,其特征在于,该基板的材料为硅,该感光元件的材料为锗。
11.一种半导体光学感测器,用来感测一入射光信号以产生一电信号,其特征在于,包含:
一基板,具有一第一表面与该第一表面相对的一第二表面;
一感光元件,其材料与该基板的材料不同,用来将该入射光信号转换为该电信号;
一透镜,其形成于该基板的该第一表面上且材料包含与该基板相同的材料,用来改变该入射光信号的传输路径,以将该入射光信号导向该感光元件;
一光局限元件,形成于该基板的该第二表面上且位于该感光元件的侧面并且与该感光元件位于同一平面,用来吸收或反射经过该透镜后的该入射光信号;以及
一光反射元件,位于该感光元件的上方,用来反射经过该感光元件后的该入射光信号;
其中该入射光经由该透镜及该基板直接进入该感光元件。
12.根据权利要求11所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光局限元件的材料与该感光元件相同。
13.根据权利要求12所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光局限元件与该感光元件以同一半导体工艺步骤完成,且两者的厚度相同。
14.根据权利要求11所述的半导体光学感测器,其特征在于,该光局限元件以导电性材料制成,并与该感光元件电连接,以作为该感光元件的电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的