[发明专利]半导体光学感测器有效
申请号: | 201510736117.0 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN105575985B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 刘汉鼎 | 申请(专利权)人: | 光澄科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 光学 感测器 | ||
一种半导体光学感测器,包含多个感测单元,用来感测一入射光信号以产生一电信号,其中一感测单元包含:一基板;一感光元件,其材料与该基板的材料不同,用来将该入射光信号转换为该电信号;一透镜,其材料包含与该基板相同的材料,用来改变该入射光信号的传输路径,以将该入射光信号导向该感光元件;以及一光屏蔽元件,围绕该感光元件,用来改变该入射光信号经过该透镜后的传输路径或传输距离,以避免该入射光信号到达该感测单元的一相邻感测单元的感光元件。
技术领域
本发明涉及一种半导体光学感测器,尤其涉及一种具有光屏蔽结构的半导体光学感测器。
背景技术
一般而言,光学感测器将透镜、感光元件、金属绕线等元件制作并整合于一感光系统结构中。入射光信号先经由透镜聚焦,而后由感光元件吸收并转换为电信号,电信号再经由金属绕线传输至后级的电路以进行电性分析或处理。然而,入射光信号可能无法完全被感光元件吸收,造成入射光信号发散至半导体结构中的其他部位,此时如果光学感测器包含多个感测单元所构成的阵列,则发散的入射光会造成感测单元之间的串音干扰(crosstalk),影响光学感测器的感测结果。
发明内容
鉴于现有技术的不足,本发明的一目的在于提供一种半导体光学感测器,以提高聚光能力与减低串音干扰并提升感测效能。
本发明揭露了一种半导体光学感测器,包含多个感测单元,用来感测一入射光信号以产生一电信号,其中一感测单元包含:一基板;一感光元件,其材料与该基板的材料不同,用来将该入射光信号转换为该电信号;一透镜,其材料包含与该基板相同的材料,用来改变该入射光信号的传输路径,以将该入射光信号导向该感光元件;以及一光屏蔽元件,围绕该感光元件,用来改变该入射光信号经过该透镜后的传输路径或传输距离,以避免该入射光信号到达该感测单元的一相邻感测单元的感光元件。
本发明另揭露了一种半导体光学感测器,用来感测一入射光信号以产生一电信号,包含:一基板;一感光元件,其材料与该基板的材料不同,用来将该入射光信号转换为该电信号;一透镜,其材料包含与该基板相同的材料,用来改变该入射光信号的传输路径,以将该入射光信号导向该感光元件;一光局限元件,位于该感光元件的侧面并且与该感光元件位于同一平面,用来吸收或反射经过该透镜后的该入射光信号;以及一光反射元件,位于该感光元件的上方,用来反射经过该感光元件后的该入射光信号。
本发明的半导体光学感测器能够有效减少入射光信号散射至邻近的感测单元,因此可以降低感测单元之间的串音干扰并减少暗电流。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A为本发明半导体光学感测器的一实作方式的立体结构图;
图1B为图1A的横截面图;
图2为本发明半导体光学感测器的另一实作方式的横截面图;
图3A为本发明半导体光学感测器的另一实作方式的立体结构图;
图3B为图3A的横截面图;
图4为本发明半导体光学感测器的另一实作方式的横截面图;
图5为本发明半导体光学感测器的另一实作方式的横截面图;
图6A为本发明半导体光学感测器的另一实作方式的立体结构图;
图6B为图6A的横截面图;以及
图7为本发明半导体光学感测器之制作流程图。
其中,附图标记
10、20、30、60 半导体光学感测器
100、300、600 感测单元
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的