[发明专利]一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201510737109.8 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN105225992B 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 王东东;王政英;邹冰艳;刘芹;唐革;郭润庆;刘锐鸣;高军;刘应;姚震洋 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/306
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 装置 晶圆片 单面 方法
【说明书】:

本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,其中,所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环,相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片,所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴,且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后,所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面,从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

技术领域

发明属于半导体器件领域,更具体地说,涉及一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法。

背景技术

晶圆片是制造半导体芯片的基本材料,在半导体芯片的制造过程中,需要对所述晶圆片进行单面刻蚀,而湿法刻蚀以其操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产以及对所述晶圆片损伤少的优点成为主流的单面刻蚀方法。现有技术中,在进行所述晶圆片的单面刻蚀之前,需要在其不需要进行刻蚀的一面涂覆或生长保护层,然后将所述具有保护层的晶圆片浸入腐蚀液体中对其待刻蚀面进行刻蚀,最后取出该晶圆片,去除所述保护层并进行清洗,完成所述晶圆片的单面刻蚀。

但是上述晶圆片单面刻蚀方法的缺点是需要增加在所述晶圆片表面涂覆或生长保护层的工序,降低了所述半导体芯片的生产效率,而且所述保护层在所述晶圆片浸入所述腐蚀液体时存在发生脱落或剥离的风险,而所述保护层一旦脱落或剥离就会使所述晶圆片报废,从而增加所述半导体芯片的生产成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,所述刻蚀方法不需要在所述晶圆片表面涂覆或生长保护层即可完成对所述晶圆片的单面刻蚀。

一种刻蚀装置,应用于晶圆片湿法刻蚀,包括:

底座;

设置于所述底座上的多个夹片环,相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片,所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,且所述夹片环呈圆环形,其侧壁包括至少一个进液槽;

设置于所述底座上的夹紧装置,所述夹紧装置用于夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片。

优选的,所述刻蚀装置还包括:位于所述夹片环外侧面的至少一个定位块,设置于所述底座内表面的定位台;

所述定位块的侧面与所述定位台的侧面接触,用于使所述夹片环稳定放置在所述定位台上。

优选的,所述定位台的内表面为圆弧面,其半径等于所述夹片环的半径。

优选的,所述定位块的数量大于或等于两个,所述定位台的内表面的弧长小于或等于所述夹片环任意相邻两个定位块之间的弧长。

优选的,所述底座内表面为圆弧面,其半径等于所述夹片环半径与所述定位台沿所述夹片环径向方向的长度之和。

优选的,所述定位块沿所述夹片环径向方向的长度大于等于5mm。

优选的,所述夹紧装置包括螺纹杆、夹持板、第一固定板和第二固定板;其中,

所述第一固定板和第二固定板相对设置于所述底座两端,所述第一固定板设置有螺纹孔;

所述夹持板设置于所述第一固定板和第二固定板之间,所述夹持板与所述第二固定板之间用于放置所述夹片环和所述晶圆片;

所述螺纹杆通过所述螺纹孔与所述第一固定板螺纹连接;

所述夹持板与所述螺纹杆抵接,当所述螺纹杆向所述第二固定板方向旋进时推动所述夹持板夹紧所述夹片环和所述晶圆片。

优选的,所述夹片环的直径的取值范围为30mm-200mm,包括端点值。

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