[发明专利]产生微静电场的抛光组件及化学抛光设备在审
申请号: | 201510743019.X | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN105405791A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 陈盈同 | 申请(专利权)人: | 咏巨科技有限公司;陈盈同 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B24B1/00;B24B37/04 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 产生 静电场 抛光 组件 化学抛光 设备 | ||
1.产生微静电场的抛光组件,适用于一化学抛光设备,其特征在于,该抛光组件包括一电场产生单元及一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面,该电场产生单元具有至少一电容结构并通过接收一外加电压以产生一微静电场,并且将该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
2.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该微电场产生单元设置于化学抛光设备的一抛光机平台上方,并且该电场产生单元位于该抛光垫与该抛光机平台之间。
3.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该电场产生单元设置于化学抛光设备的一抛光机平台内。
4.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该电场产生单元设置于该化学抛光设备的一晶圆载具上,该晶圆载具包含一用于吸附一晶圆的吸附面,并且该电场产生单元位于该晶圆载具的该吸附面上。
5.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该电场1、产生单元为一软性电路板,该软性电路板包括:
一第一基材;
一线路层,设置在该基材的上表面;以及
一黏着层,设置在该基材的下表面。
6.根据权利要求5所述的产生微静电场的抛光组件,其中该软性电路板还包括一保护层,该保护层覆盖于该线路层。
7.根据权利要求6所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该软性电路板还包括一第二基材,该第二基材设置于该保护层的上方。
8.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该电场产生单元包括一线路层以形成该电容结构,各该电容结构包括一正电极导线及一负电极导线,该正电极导线与该负电极导线之间设有介电材料。
9.根据权利要求8所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该正电极导线与该负电极导线交错设置。
10.根据权利要求8所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该正电极导线为一第一指叉电极,该负电极导电为一第二指叉电极,该第一指叉电极与该第二指叉电极交错设置。
11.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该电场产生单元为一电容结构,该电容结构包括一上电极板、一与该上电极板相对设置的下电极板以及一设置于该上电极板及该下电极板之间的一介电层。
12.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该上电极板具有包括至少一指叉电极,且该下电极板具有至少一与该上电极板相对设置的另一指叉电极。
13.根据权利要求1所述的产生微静电场的抛光组件,其特征在于,其中该电场产生单元具有相对于该抛光区域的一铜层或一铜合金层。
14.一种化学抛光设备,其特征在于,包括:
一抛光机平台;以及
带有提供微静电场的一抛光组件,该抛光组件设置在该抛光机平台的上方,且该抛光组件包括:
一电场产生单元;以及
一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面;
其中,该电场产生单元通过接收一外加电压以产生一微静电场,且该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造