[发明专利]产生微静电场的抛光组件及化学抛光设备在审
申请号: | 201510743019.X | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN105405791A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 陈盈同 | 申请(专利权)人: | 咏巨科技有限公司;陈盈同 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B24B1/00;B24B37/04 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 中国台湾桃*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 产生 静电场 抛光 组件 化学抛光 设备 | ||
技术领域
本发明涉及产生微静电场的抛光组件及化学抛光设备,尤指一种产生微静电场的抛光组件及带有提供微静电场之抛光组件的化学抛光设备,属于化学抛光设备技术领域。
背景技术
化学机械抛光制程广泛应用于半导体晶圆表面平坦化的有效制程当中,该制程技术是将芯片置于抛光垫上并且施加压力,再配合抛光液(Slurry)中的抛光粉体以及化学药品的作用来辅助抛光过程达到平坦化。
然而,一般的抛光液当中大抵上包含有30-100nm(奈米)的抛光粉体以及化学药品,这些化学药品主要又是以PH缓冲剂、氧化剂以及界面活性剂所构成,其中PH缓冲剂能够使得抛光粉体粒子间的电性排斥力下降,以维持粉体的悬浮稳定度,再者抛光液添加界面活性剂也是为了抑制粉体凝结,来维持抛光粉体的悬浮稳定度,但是其提升效果仍然有限。因此可能造成,半导体晶圆表面的刮伤程度或机械应力的残留,而降低抛光效率。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明提供产生微静电场的抛光组件及化学抛光设备。
本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种产生微静电场的抛光组件及使用带有提供微静电场之抛光组件的化学抛光设备,能够产生维持抛光粉体中悬浮稳定度的技术。
为了解决上述的技术问题,本发明所采用的其中一技术方案是:
一种产生微静电场的抛光组件,适用于一化学抛光设备,该抛光组件包括一电场产生单元及一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面,该电场产生单元具有至少一电容结构并通过接收一外加电压以产生一微静电场,并且将该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
一种化学抛光设备,包括:
一抛光机平台;以及
带有提供微静电场的一抛光组件,该抛光组件设置在该抛光机平台的上方,且该抛光组件包括:
一电场产生单元;以及
一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面;
其中,该电场产生单元通过接收一外加电压以产生一微静电场,且该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
本发明提供的一种产生微静电场的抛光组件,适用于一化学抛光设备,其特征在于,该抛光组件包括一电场产生单元及一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面,该电场产生单元通过接收一外加电压以产生一微静电场,并且将该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
本发明另外一实施例提供一种化学抛光设备,其包括一抛光机平台及带有提供微静电场的一抛光组件。该抛光组件设置在该抛光机平台的上方,且该抛光组件包括一电场产生单元及一抛光垫,该抛光垫具有一抛光区域与一底面。其中该电场产生单元通过接收一外加电压以产生一微静电场,且该微静电场施加于该抛光垫的该抛光区域。
本发明的有益效果可以在于,本发明实施例所提供的产生微静电场的抛光组件,其可通过“电场产生单元”的设计,当电场产生单元通过接收外加电压后会产生微静电场,并且施加在抛光区域内,因此能够提升抛光区域内抛光液中的悬浮稳定度。据此,可以降低半导体晶圆表面的刮伤程度、避免机械应力的残留,同时能够减少抛光液的耗损,提供更好的抛光效率。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参照下面的详细描述,能够更完整更好地理解本发明以及容易得知其中许多伴随的优点,但此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本发明的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定,如图其中:
图1为本发明产生微静电场的抛光组件的实施例2的分解图。
图2为本发明产生微静电场的抛光组件的实施例3的分解图。
图3为本发明产生微静电场的抛光组件的实施例4的分解图。
图4为本发明产生微静电场的抛光组件的实施例5的分解图。
图5为本发明产生微静电场的抛光组件的实施例6的分解图。
图6为本发明图5的Ⅵ-Ⅵ割面线的剖面示意图。
图7为本发明图5的软性电路板的另外一实施例的剖面示意图。
图8为本发明图5的软性电路板的另外再一实施例的剖面示意图。
图9A为本发明软性电路板中的电容结构的其中一实施例示意图。
图9B为本发明软性电路板中的线路层的另外一实施例示意图。
图9C为本发明软性电路板中的线路层的再一实施例示意图。
图9D为本发明软性电路板中的线路层的又一实施例示意图。
图10为本发明产生微静电场的抛光组件的实施例7的其中一分解图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造