[发明专利]声表面波器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510746144.6 申请日: 2015-11-05
公开(公告)号: CN105577136B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 李勋龙 申请(专利权)人: 天津威盛电子有限公司
主分类号: H03H9/64 分类号: H03H9/64;H03H3/02
代理公司: 北京冠和权律师事务所 11399 代理人: 朱健;陈国军
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 表面波 器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种声表面波器件,包括:

压电体基板;

多个IDT电极,其形成于所述压电体基板上面;

多个共振器电极,其形成于所述压电体基板上面;

用于配线的金属层,其形成为配线区域,以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接;

绝缘层,其形成于所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面

所述用于配线的金属层在形成配线区域时包围所述多个共振器电极,并以所述压电体基板和用于配线的金属层直接接触的形式形成。

2.根据权利要求1所述的声表面波器件,其特征在于,

所述用于配线的金属层与压电体基板直接接触的宽度在5μm以上。

3.根据权利要求1所述的声表面波器件,其特征在于,

所述用于配线的金属层及所述共振器电极包括铝(Al)、钛(Ti)、金(Au)中一种以上。

4.根据权利要求3所述的声表面波器件,其特征在于,

所述用于配线的金属层是钛(Ti),所述共振器电极是铝(Al)。

5.根据权利要求1所述的声表面波器件,其特征在于,

所述绝缘层包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的声表面波器件,其特征在于,

所述多个IDT电极及所述多个共振器电极在形成电极的情况下,用真空镀膜的溅射方法后用蚀刻来形成。

7.根据权利要求1所述的声表面波器件,还包括:

支柱,其形成于所述绝缘层上面;

顶部,其形成于所述支柱上面进而生成空洞。

8.根据权利要求7所述的声表面波器件,其特征在于,

所述支柱及所述顶部为感光性树脂。

9.一种声表面波器件的制造方法,包括以下步骤:

(a)在压电体基板形成多个IDT电极和多个共振器电极;

(b)将用于配线的金属层形成为配线区域,以便连接所述多个IDT电极和多个共振器电极;

(c)在所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层上面形成绝缘层;

所述(b)步骤中,在形成配线区域时,用于配线的金属层包围所述多个共振器电极,并以所述压电体基板和用于配线的金属层直接接触的形式形成。

10.根据权利要求9所述的声表面波器件的制造方法,其特征在于,

所述用于配线的金属层和压电体基板直接接触的宽度在5μm以上。

11.根据权利要求9所述的声表面波器件的制造方法,其特征在于,

所述用于配线的金属层及所述共振器电极包括铝(Al)、钛(Ti)、金(Au)中一种以上。

12.根据权利要求11所述的声表面波器件的制造方法,其特征在于,

所述用于配线的金属层是钛(Ti),所述共振器电极是铝(Al)。

13.根据权利要求9所述的声表面波器件的制造方法,其特征在于,

所述绝缘层包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)中的一种以上。

14.根据权利要求9所述的声表面波器件的制造方法,其特征在于,

所述(a)步骤中,形成电极的情况,用真空镀膜的溅射方法后用蚀刻来形成。

15.根据权利要求9所述的声表面波器件的制造方法,还包括如下步骤:

(d)在所述绝缘层上面形成支柱;

(e)通过在所述支柱上面形成顶部来进行覆盖,然后生成空洞。

16.根据权利要求15所述的声表面波器件的制造方法,其特征在于,

所述支柱及所述顶部为感光性树脂。

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