[发明专利]声表面波器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种声表面波器件及其制造方法，更为详细地，涉及一种声表面波器件和声表面波器件的制造方法，所述声表面波器件包括：压电体基板；多个IDT电极，其形成于所述压电体基板上面；多个共振器电极，其形成于所述压电体基板上面；用于配线的金属层，其形成为配线区域，以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接；绝缘层，其形成于所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面。

技术领域

本发明涉及一种声表面波器件及其制造方法，更为详细地涉及一种声表面波器件和声表面波器件的制造方法,所述声表面波器件包括：压电体基板；多个叉指换能器(IDT,Inter Digital Transducer)电极，其形成于所述压电体基板上面；多个共振器电极，其形成于所述压电体基板上面；用于配线的金属层，其形成为配线区域，以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接；绝缘层，其形成于所述压电体基板,所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面。

背景技术

声表面波滤波器(SAW Filter；Surface Acoustic Wave Filter)当在某一方向输入电信号时，声表面波产生于基板表面，然后这种机械波长又变换为电信号，在这一过程中只留下了频率相同的信号。因此，声表面波滤波器起到了只将和滤波器具有的机械频率相同的频率通过的过滤作用。

近来，制造声表面波滤波器的情况，随着要求小型化、薄型化，作为融合了硅半导体工艺技术和发光二极管技术的封装技术，用晶元级封装(WLP,Wafer level package)方法制造声表面波滤波器的技术正被开发。所述晶元级封装方法，是一种在硅晶元上钻一个孔然后放入发光二极管芯片从而进行封装的方式。相比现有的将压电体元件和其他的基板接合的芯片尺寸封装(CSP,Chip Scale Package)方法，WLP方法具有只用压电体元件本身就能完成产品的优点。

此时，通过将空洞形成在压电体元件来制作，就形成这种空洞而言，如果压电体和电极、配线间的黏着力降低，那么在持续高湿度的环境里存在的问题是部件发生异常的概率非常高。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于，就用根据声表面波滤波器的小型化及薄型化的需求的晶元级封装方式制造的工艺而言，有效设计形成于压电体基板上的电极和配线，从而使黏着力增强，进而改善滤波器的特性及提高其的可靠性。

此外，目的还在于，提供一种声表面波器件和声表面波器件的制造方法。所述声表面波器件包括：压电体基板；多个IDT电极，其形成于所述压电体基板上面；多个共振器电极，其形成于所述压电体基板上面；用于配线的金属层，其形成为配线区域，以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接；绝缘层，其形成于所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面。

用于实现上述目的的根据本发明的声表面波器件，可包括：压电体基板；多个IDT电极，其形成于所述压电体基板上面；多个共振器电极，其形成于所述压电体基板上面；用于配线的金属层，其形成为配线区域，以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接；绝缘层，其形成于所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面。

此外，其特征在于，所述用于配线的金属层在形成配线区域时包围所述多个共振器电极，并以所述压电体基板和用于配线的金属层直接接触的形式形成。

此外，其特征在于，所述用于配线的金属层和压电体基板直接接触的宽度在5μm以上。

并且，其特征在于，所述用于配线的金属层及所述共振器电极可包括铝(Al)、钛(Ti)、金(Au)中一种以上，所述用于配线的金属层是钛(Ti)，所述共振器电极是铝(Al)。

此外，所述绝缘层可包括氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)中的一种以上。