[发明专利]一种高速激光器芯片制作方法和装置

说明书

本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片的制作方法和装置，所述方法包括：获取外延片结构中由表层到第一腐蚀停止层的厚度参数；根据所述厚度参数设置对应所述激光测距器的响应阈值；将所述外延片置于托盘指定位置；在启动腐蚀过程后，所述外延片由所述托盘托举着沉浸到所述腐蚀液中；在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时，触发完成将所述外延片托举出腐蚀液的操作过程。通过一种携带伺服系统的腐蚀控制装置，利用激光的测距功能，监测腐蚀区中心厚度是否达到响应阈值，来判断是否完成腐蚀阶段。该方法能够基于获取的激光器芯片制造的相关参数，有效的适应各种激光器芯片的脊波导结构生成。

技术领域

本发明涉及半导体激光器技术领域，特别涉及一种高速激光器芯片制作方法和装置。

背景技术

传统的高速半导体激光器结构如图1。该高速半导体激光器包括一衬底0，一缓冲层1，一第一渐变限制层2，一第一波导层3，一第二波导层4，一第一量子阱垒层5，一量子阱有源层6，一第二量子阱垒层7，一第三波导层8，一第一腐蚀停止层9，一第四波导层10，一第二渐变限制层11，一欧姆接触层12，一绝缘介质层13，一P型上电极14，一N型下电极15。

现有技术中高速半导体激光器的其脊型双沟台面的形成是通过将包含所述0-12层结构的外延片放置于腐蚀液中，并通过完成预定浸泡时间计时后，获得初级加工芯片，此时便能够获得如图1所示的由10-12层构成的脊波导结构。

但是，现有技术这种方式，所获得的脊波导结构却是比较粗糙的，对于用来制造不同型号的激光器的外延片，该预定浸泡时间通常是不一样的，尤其是在需要制作新型号的初级加工芯片时，现有技术便无法立刻投入生产，从而影响了激光器芯片生产的效率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种高速激光器芯片的制作方法和装置，用于克服现有技术获得的脊波导结构却是比较粗糙的，对于用来制造不同型号的激光器的外延片，该预定浸泡时间通常是不一样的，影响了激光器芯片生产的效率。

为达成上述目的，一方面本发明实施例提供了一种高速激光器芯片的制作方法，所述方法包括：

获取外延片结构中由表层到第一腐蚀停止层的厚度参数；

根据所述厚度参数设置对应所述激光测距器的响应阈值；

将所述外延片置于托盘指定位置；

在启动腐蚀过程后，所述外延片由所述托盘托举着沉浸到所述腐蚀液中；

在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时，触发完成将所述外延片托举出腐蚀液的操作过程。

优选的，所述指定位置具体为托盘中标注的放置所述外延片的位置，所述指定位置正上方对应着所述激光测距器。

优选的，还获取有外延片的厚度以及其表面涂覆的防腐蚀液材料的厚度，则所述将所述外延片置于托盘指定位置后，还包括：

所述激光测距器扫描对应所述指定位置的监测区域，根据所述外延片的厚度以及其表面涂覆的防腐蚀液材料的厚度，确定扫描区域中距离差值满足条件的腐蚀区域，并定位到所述腐蚀区域。

优选的，所述确定扫描区域中距离差值满足条件的腐蚀区域，具体包括：

所述扫描区域由各像素点构成，各像素点对应着激光测距器在相应像素点位置所测量到的距离值；其中，作为目标的测量的距离值满足与周边测量的距离差值等于所述表面涂覆的防腐蚀液材料的厚度，且所述作为目标的测量的距离值等于激光检测器到托盘的距离减去所述外延片的厚度。

优选的，置于所述托盘上，参与腐蚀过程的所述外延片具有n片时，其中n为自然数，则所述在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时，具体包括：