[发明专利]一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器有效
申请号: | 201510749495.2 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN105428534B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 唐利斌;姬荣斌;项金钟;程文涛 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 650031 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 zno 纳米 复合 结构 紫外光 探测器 | ||
1.一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,由基底、正负电极层、紫外光功能层构成,基底(2)为玻璃片衬底;玻璃片衬底上沉积高功函材料ITO作为负极电极层(3);负极电极层(3)上旋涂ZnO籽晶层(4),通过水热法外延生长ZnO 纳米棒阵列(5)在ZnO籽晶层(4)上;用匀胶机旋涂含有机物菲的乙醇溶液在ZnO 纳米棒阵列(5)上,烘干基片使乙醇挥发形成ZnO 纳米棒与菲功能层(6);分别从滴有导电浆料(7)的ITO和ZnO 纳米棒与菲功能层(6)上用导线(8)引出电极,形成本发明紫外光伏探测器结构;其中,导电浆料(7)为银浆或导电碳浆料,导线(8)为金丝或铜丝;其特征在于该探测器通过以下的方法制备而得的,具体步骤如下:
第一步,清洗ITO玻璃片衬底:将沉积有高功函材料ITO的玻璃片衬底清洗并烘干;
第二步,配制ZnO种子前驱体溶液;每克二水合乙酸锌加乙醇15-45 ml、乙醇胺0.25-0.75 ml、乙二醇0.5-1.5 ml,搅拌直至溶质完全溶解于该混合溶液,再加入0.25-0.75ml冰乙酸,充分搅拌后,密封陈化至少12 h;
第三步,旋涂ZnO前驱体溶液,将配制好的ZnO种子前驱体溶液采用旋涂机旋涂在ITO表面上,并蒸发基底溶剂;
第四步,ZnO籽晶层晶化:ZnO籽晶层用匀胶机在ITO上旋涂ZnO种子溶液,得到均匀的ZnO籽晶层,迅速升温至400℃,保温1-3 h,冷却至室温得到ZnO籽晶层;
第五步,水热法外延生长ZnO纳米棒阵列;
第六步,除杂:将基片取出,冲洗干净,干燥保存;
第七步,采用旋涂法在ZnO纳米棒阵列中掺杂菲作为器件的功能层;
第八步,分别在ITO和功能层上分别滴导电浆料,再分别用两根导线的一端引入每滴导电浆料中,另一端悬空,形成紫外探测器的正负极。
2.如权利要求1所述的一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,其特征在于配制ZnO种子前驱体溶液是每克二水合乙酸锌中加入乙醇胺0.5 ml、乙二醇1ml,依次溶解到乙醇30 ml中,再加入冰乙酸0.5ml,充分搅拌后,密封陈化12 h。
3.如权利要求1所述的一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,其特征在于旋涂ZnO前驱体溶液是将ITO玻璃片衬底面朝上转移到匀胶机上,用移液管吸取100 μL的 ZnO种子前驱体溶液滴在ITO表面上,待溶液完全铺满ITO表面后,预旋涂以1000 rpm速度旋转3s,旋涂以4000 rpm速度旋转30 s,旋涂完成后用吹风机热风对着基底背面吹3-5 min,使得溶剂蒸发。
4.如权利要求1所述的一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,其特征在于ZnO籽晶层晶化是将基底转移到石英管中,再将石英管置于快速退火炉中,炉子以20℃/min的速度升至400℃,保温2 h,之后拿出石英管,室温下自然冷却30 min,得到200 nm厚晶化的ZnO籽晶层。
5.如权利要求1所述的一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,其特征在于水热法生长ZnO纳米棒阵列是将ZnO纳米棒反应液倒入在密闭容器中,预热到50℃,然后再将覆盖有ZnO籽晶层的基片垂直于容器底部放置,再升温至90℃,保温6h,停止加热,将反应体系置于室温条件下自然冷却2 h,得到水热法生长出的直径为50-200 nm、长度为2-3μm的ZnO纳米棒阵列;
其中,反应液的配制:0.004 mol二水合乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和0.004 mol六次甲基四胺(HTM)溶于0.2 L去离子水中,水热反应体系中的反应液浓度为0.02 mol/L。
6.如权利要求1所述的一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,其特征在于掺杂菲是将0.2 mol/L菲的乙醇溶液用移液器取50 μL该溶液滴于生长有ZnO纳米棒阵列上,待铺满后,以1000 rpm的速度旋转30s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所,未经昆明物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510749495.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多核系统报文分发方法及装置
- 下一篇:熔液净化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择