[发明专利]一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器有效
申请号: | 201510749495.2 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN105428534B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 唐利斌;姬荣斌;项金钟;程文涛 | 申请(专利权)人: | 昆明物理研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 昆明祥和知识产权代理有限公司53114 | 代理人: | 和琳 |
地址: | 650031 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 zno 纳米 复合 结构 紫外光 探测器 | ||
技术领域
本发明属于半导体与纳米光电子器件领域,尤其涉及到一种ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器的制备方法。
背景技术
光电探测器是一种将光辐射信号转换为电信号的器件,利用这个特性能够感知外界环境的变化。紫外光是人用肉眼不能直接观察到的,且辐射能力强。为了避免人们受到紫外光的直接辐射,就需要借助将这种紫外光转换为便于检测的物理量。紫外光伏探测器就是一种能够将不可见的紫外入射辐射信号转换为可检测电信号的器件。紫外光伏探测器在军事上已广泛应用于紫外报警和制导,同时民用方面也涉及到紫外监控和预警等领域。因此,许多国家对紫外光伏探测器进行了深入广泛的研究,不断提高紫外光伏探测器的性能和稳定性,从而为国家和人民提供安全保障。
ZnO是一种具有光电、压电、催化功能的半导体材料,常温下禁带宽度是3.37 eV,是典型的直接带隙宽禁带半导体材料,同时激子结合能高达60 meV,具有优异的发光性能,适合紫外光电器件领域的研究。
ZnO纳米棒具有ZnO材料自身的优点,又结合了纳米材料的高强度和高韧性,展现出良好的紫外光探测性能和稳定性。但是,ZnO纳米棒表面存在大量空位陷阱态,收到紫外光激发时产生的电子空穴对扩散受到表面耗尽层的影响,且载流子复合严重,导致ZnO纳米棒基紫外光伏探测器的探测性能和灵敏度低。
发明内容
本发明目的在于提供一种具有ZnO纳米棒与菲异质复合结构的紫外光伏探测器及制备方法,可以在一定程度上解决目前ZnO纳米棒基紫外光伏探测器的探测性能及灵敏度问题。
一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,由基底、正负电极层、紫外光功能层构成,其特征在于基底为玻璃片衬底;玻璃片衬底上沉积高功函材料ITO作为负极电极层;负极电极层上旋涂ZnO籽晶层,通过水热法外延生长ZnO 纳米棒阵列在ZnO籽晶层上;用匀胶机旋涂含有机物菲的乙醇溶液在ZnO 纳米棒阵列上,烘干基片使乙醇挥发形成ZnO 纳米棒与菲功能层;分别从滴有导电浆料的ITO和ZnO 纳米棒与菲功能层上用导线引出电极,形成本发明紫外光伏探测器结构。
所述的导电浆料为银浆或导电碳浆料。
所述的导线为金丝或铜丝。
本发明的一种具有ZnO纳米棒与菲纳米异质复合结构的紫外光伏探测器,其特征在于该探测器通过以下的方法制备而得的,具体步骤如下:
第一步,清洗ITO玻璃片衬底:将沉积有高功函材料ITO的玻璃片衬底清洗并烘干;
第二步,配制ZnO种子前驱体溶液;每克二水合乙酸锌加乙醇15-45 ml、乙醇胺0.25-0.75 ml、乙二醇0.5-1.5 ml,搅拌直至溶质完全溶解于该混合溶液,再加入0.25-0.75ml冰乙酸,充分搅拌后,密封陈化至少12 h;
第三步,旋涂ZnO前驱体溶液,将配制好的ZnO种子前驱体溶液采用旋涂机旋涂在ITO表面上,并蒸发基底溶剂;
第四步,ZnO籽晶层晶化: ZnO籽晶层用匀胶机在ITO上旋涂ZnO种子溶液,得到均匀的ZnO籽晶层,迅速升温至400℃,保温1-3 h,冷却至室温得到ZnO籽晶层;
第五步,水热法外延生长ZnO纳米棒阵列;
第六步,除杂:将基片取出,冲洗干净,干燥保存;
第七步,采用旋涂法在ZnO纳米棒阵列中掺杂菲作为器件的功能层;
第八步,分别在ITO和功能层上分别滴导电浆料,再分别用两根导线的一端引入每滴导电浆料中,另一端悬空,形成紫外探测器的正负极。
所述的紫外光伏探测器将引出电极的器件固定于测试板上,再将ZnO纳米棒与菲功能层上的电极的部分置于光能照射的地方,以方便器件的性能测试。
本发明的紫外光伏探测器结构,最底层的基底材料为玻璃;ITO作为一电极完全覆盖于基底上,滴上导电浆料,用导线引出该电极。ITO剩余未作为电极的部分被一层ZnO籽晶层覆盖;籽晶层厚度约为200 nm。ZnO籽晶层上为外延生长的ZnO纳米棒阵列。将ZnO籽晶层的基片垂直浸没于二水合乙酸锌(Zn(CH3COO)2·2H2O)和六次甲基四胺(HTM)的混合水溶液中外延生长(002)取向上的ZnO纳米棒阵列;ZnO纳米棒直径为50-200 nm,长度为2-3 μm。ZnO纳米棒阵列表面由有机物菲所包覆。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所,未经昆明物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510749495.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多核系统报文分发方法及装置
- 下一篇:熔液净化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择