[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在基板上的层间绝缘层；

第一电容器结构，在所述层间绝缘层中并且包括通孔，其中所述第一电容器结构包括至少一个第一叠层，所述至少一个第一叠层包括顺序地在所述基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极；以及

导电层，包括在所述层间绝缘层上的端子焊盘，所述端子焊盘不与所述第一电容器结构交叠，所述端子焊盘在平面图上位于所述通孔内。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述端子焊盘的侧壁与所述第一电容器结构分开一距离，

该距离为从自所述侧壁向下延伸的第一线到所述第一电容器结构。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二电容器结构，在所述层间绝缘层中，

其中所述第二电容器结构包括至少一个第二叠层，所述至少一个第二叠层包括顺序地在所述基板上的第二下电极、第二电容器绝缘层和第二上电极，

所述第二电容器结构的至少一部分与所述端子焊盘交叠，并且

所述第一上电极和所述第二上电极彼此分开。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中从所述基板到所述第一电容器结构的第一高度与从所述基板到所述第二电容器结构的第二高度相同。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中整个所述第二电容器结构与所述端子焊盘交叠。

6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

布线结构，在所述层间绝缘层中，

其中所述第一电容器结构和所述第二电容器结构电连接到所述布线结构。

7.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述端子焊盘的长度实质上等于所述第二电容器结构的长度，并且

所述第二电容器结构与所述端子焊盘交叠。

8.一种半导体器件，包括：

第一端子焊盘，在基板的表面上；

第二端子焊盘，在所述基板的所述表面上，其中所述第二端子焊盘比所述第一端子焊盘更远离所述基板的边缘；

第一电容器结构，包括通孔并且在所述第一端子焊盘的外缘下面，其中所述第一端子焊盘在平面图上位于所述通孔内，并且所述第一电容器结构的端部在水平方向上与所述第一端子焊盘的端部分开；以及

第二电容器结构，在所述第二端子焊盘下面。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中整个所述第二端子焊盘与所述第二电容器结构交叠。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一电容器结构和所述第二电容器结构被排除在所述第一端子焊盘和所述基板之间的区域之外。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二电容器结构与所述第二端子焊盘交叠，并且

所述第二电容器结构在所述第二端子焊盘和所述基板之间。

12.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二电容器结构在所述第二端子焊盘的外缘下面，

所述第二电容器结构的端部在水平方向上与所述第二端子焊盘的端部分开，

所述第一端子焊盘的侧壁与所述第一电容器结构间隔开第一距离，

所述第一距离为从自所述第一端子焊盘的侧壁向下延伸的第一线到所述第一电容器结构，

所述第二端子焊盘的侧壁与所述第二电容器结构间隔开第二距离，

所述第二距离为从自所述第二端子焊盘的侧壁向下延伸的第二线到所述第二电容器结构，并且

所述第一距离不同于所述第二距离。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一距离大于所述第二距离。

14.如权利要求8所述的半导体器件，其中，从平面图视角，无电容器结构被设置在所述第一端子焊盘和所述第一电容器结构之间。