[发明专利]半导体器件

说明书

本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。

技术领域

本发明构思的示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括设置在生产线后道工序(BEOL)中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体器件。

背景技术

多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)电容器使用多晶硅作为电容器电极。由于多晶硅的特性，PIP电容器在减小电容器电极的电阻上存在限制。

当偏压施加到多晶硅电容器电极时，产生耗尽区因此电压不稳定，结果，电容器的容量没有保持不变。

因此，对于MIM电容器的研究被积极地进行。MIM电容器具有其中电介质层布置在上金属电极和下金属电极之间的结构。

发明内容

本发明构思的示例实施方式涉及半导体器件，更具体地，涉及包括设置在生产线后道工序(BEOL)中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的半导体器件。

本发明构思的示例实施方式致力于提供一种半导体器件，该半导体器件能够通过控制金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的形状和MIM电容器与端子焊盘之间的位置关系而增强MIM电容器的可靠性。

本发明构思的示例实施方式不限于前述的技术目的。以上没有提及的其他技术目的将通过以下的描述而对本领域技术人员是明显的。

根据本发明构思的示例实施方式，提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；在层间绝缘层中的第一电容器结构，其中第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘，该端子焊盘不与第一电容器结构交叠。

在本发明构思的一些示例实施方式中，端子焊盘的侧壁与第一电容器结构分隔开一距离，该距离为从自该侧壁向下延伸的线到第一电容器结构。

在本发明构思的一些示例实施方式中，半导体器件还可以包括在层间绝缘层中的第二电容器结构，其中第二电容器结构包括至少一个第二叠层，该至少一个第二叠层包括顺序地在基板上的第二下电极、第二电容器绝缘层和第二上电极。第二电容器结构的至少一部分与端子焊盘交叠，第一上电极和第二上电极彼此分开。

在本发明构思的一些示例实施方式中，从基板到第一电容器结构的第一高度与从基板到第二电容器结构的第二高度相同。

在本发明构思的一些示例实施方式中，全部的第二电容器结构与端子焊盘交叠。

在本发明构思的一些示例实施方式中，半导体器件还可以包括在层间绝缘层中的布线结构。第一电容器结构和第二电容器结构与布线结构电连接。

在本发明构思的一些示例实施方式中，端子焊盘的长度实质上等于第二电容器结构的长度，第二电容器结构与端子焊盘交叠。

在本发明构思的一些示例实施方式中，半导体器件还可以包括在层间绝缘层中的布线结构。第一电容器结构与布线结构电连接，第二电容器结构与布线结构电绝缘。

在本发明构思的一些示例实施方式中，第一下电极和第二下电极彼此分开，第一电容器绝缘层和第二电容器绝缘层彼此分开。

在本发明构思的一些示例实施方式中，第一下电极和第二下电极连接到彼此，第一电容器绝缘层和第二电容器绝缘层连接到彼此。

在本发明构思的一些示例实施方式中，半导体器件还可以包括与端子焊盘交叠的第二电容器结构，其中第二电容器结构在层间绝缘层中。