[发明专利]考虑邻近效应和趋肤效应的分裂导线交流电阻及内自感的计算方法

权利要求书

1.一种分裂导体交流电阻和内自感的计算方法，其特征在于：给出了确定分裂(二分裂及以上)导线的等效通流面积的方法。把分裂导线的趋肤效应和邻近效应转化为等效通流面积的变化，构造了随导体的几何尺寸、相对位置变化的函数序列，提出了大尺度(不满足d＜＜a，d为电流透入深度，a为导体外半径条件下)，导体等效复阻抗的计算公式，提出了通用导线等效复阻抗随导体半径、通流频率变化的计算公式，该公式即适用于横截面半径大的导线也适用于横截面半径小的导线。提出了二、三、四、六分裂导线考虑趋肤效应和邻近效应影响的交流电阻及内自感的具体计算方法及公式。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：类比薄平板涡流分布公式，提出了考虑趋肤效应的截面磁场量计算公式，推导了考虑趋肤效应的交流电阻和电抗公式，该公式不受导体内外半径几何尺寸的制约，具有通用性。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：导体在交流电流情况下，对不同的导体内外半径(R₁，R₂)，不同的通流频率，考虑趋肤效应的导体交流电阻(R)用本发明提出的下式进行计算：I·=-2πH·0chΓ(R2-R1)[R2chΓ(R2-R1)-R1-1ΓshΓ(R2-R1)],]]>R+jX=2πR2H02ΓshΓ(R2-R1)I2chΓ(R2-R1)γ,]]>其中：Γ=α+jβ=ωμϵ2(1+γ2ω2ϵ2-1)+jωμϵ2(1+γ2ω2ϵ2+1),]]>当满足γωϵ>>1]]>时，ω为频率角速度，μ为磁导率，γ为电导率。